Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Taschenrechner

✖Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,ⓘ Beweglichkeit von Löchern im Kanal [μ_p]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%

✖Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS [k'_p]

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Formel

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Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

Formel

`"k'"_{"p"} = "μ"_{"p"}*"C"_{"ox"}`

Beispiel

`"2.128mS"="2.66m²/V*s"*"0.0008F"`

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Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität
k'_p = μ_p*C_ox
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Beweglichkeit von Löchern im Kanal - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Beweglichkeit von Löchern im Kanal: 2.66 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 2.66 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Auswerten ... ...

k'_p = 0.002128

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.128 Millisiemens <-- Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten

(Berechnung in 00.007 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 P-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2*(1+Spannung zwischen Drain und Source/modulus(Frühe Spannung))

Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)

Körpereffekt in PMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)

Backgate-Effektparameter in PMOS

Gehen Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2

Strom im Inversionskanal von PMOS

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

Gehen Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Ladung der Inversionsschicht in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung)

Übersteuerungsspannung von PMOS

Gehen Effektive Spannung = Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung)

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

Gehen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Formel

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität
k'_p = μ_p*C_ox

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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