Paramètre de transconductance de processus de PMOS Calculatrice

✖La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,ⓘ Mobilité des trous dans le canal [μ_p]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%

✖Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus de PMOS [k'_p]

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Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Formule

`"k'"_{"p"} = "μ"_{"p"}*"C"_{"ox"}`

Exemple

`"2.128mS"="2.66m²/V*s"*"0.0008F"`

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Paramètre de transconductance de processus de PMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde
k'_p = μ_p*C_ox
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Paramètre de transconductance de processus dans PMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Mobilité des trous dans le canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité des trous dans le canal: 2.66 Mètre carré par volt par seconde --> 2.66 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Évaluer ... ...

k'_p = 0.002128

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.002128 Siemens -->2.128 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

2.128 millisiemens <-- Paramètre de transconductance de processus dans PMOS

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Paramètre de transconductance de processus de PMOS Formule

Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde
k'_p = μ_p*C_ox

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement vient dans un N ou un P et un mode d'amélioration vient dans un N ou un P

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