Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT Taschenrechner

✖Ein Gerätekonstantenwert wird einmal definiert und kann in einem Programm viele Male referenziert werden.ⓘ Gerätekonstante [𝛕_F]			+10% -10%
✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [I_c]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%

✖Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.ⓘ Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT [C_eb]

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Formel

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Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Formel

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*("I"_{"c"}/"V"_{"th"})`

Beispiel

`"1818.182μF"="2s"*("5mA"/"5.50V")`

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Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.
Gerätekonstante - (Gemessen in Zweite) - Ein Gerätekonstantenwert wird einmal definiert und kann in einem Programm viele Male referenziert werden.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gerätekonstante: 2 Zweite --> 2 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Grenzspannung: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th) --> 2*(0.005/5.5)

Auswerten ... ...

C_eb = 0.00181818181818182

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00181818181818182 Farad -->1818.18181818182 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1818.18181818182 ≈ 1818.182 Mikrofarad <-- Emitter-Basis-Kapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT Formel

Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)

Was ist der Unterschied zwischen Übergangskapazität und Diffusionskapazität?

Die Übergangskapazität ist im Wesentlichen die im Verarmungsbereich gespeicherte Ladungsänderung in Bezug auf eine Spannungsänderung. Die Diffusionskapazität ist die Kapazität, die durch die Bewegung von Ladungsträgern zwischen Anode und Kathode im vorwärts vorgespannten Modus verursacht wird.

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