Calculadora MCM

Calculadora Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Circuitos integrados (CI)Amplificadores Antena y propagación de ondas Comunicación digital Más >>

⤿

Fabricación de circuitos integrados MOS Fabricación de circuitos integrados bipolares Schmitt Trigger

✖La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.ⓘ Transconductancia en MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de la fuente de puerta [C_gs]			+10% -10%
✖La capacitancia de drenaje de compuerta se refiere a la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del dispositivo.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta [C_gd]			+10% -10%

✖La frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de voltaje del dispositivo cae a 1 (0 dB) en una configuración de fuente común con una carga resistiva.ⓘ Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET [f_t]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Fabricación de circuitos integrados MOS Fórmulas PDF PDF Image

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET - (Medido en hercios) - La frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de voltaje del dispositivo cae a 1 (0 dB) en una configuración de fuente común con una carga resistiva.
Transconductancia en MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.
Capacitancia de la fuente de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Capacitancia de drenaje de compuerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de drenaje de compuerta se refiere a la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del dispositivo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia en MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens No se requiere conversión
Capacitancia de la fuente de puerta: 56 Microfaradio --> 5.6E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de drenaje de compuerta: 2.8 Microfaradio --> 2.8E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Evaluar ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

37414.9659863946 hercios -->37.4149659863946 Kilohercio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohercio <-- Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Circuitos integrados (CI) » Fabricación de circuitos integrados MOS » Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Créditos

Creado por Banu Prakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡Banu Prakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET

LaTeX Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

LaTeX Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

LaTeX Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

LaTeX Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!