Calculadora Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

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Fabricación de circuitos integrados MOS

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✖La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.ⓘ Transconductancia en MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de la fuente de puerta [C_gs]			+10% -10%
✖La capacitancia de drenaje de compuerta se refiere a la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del dispositivo.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta [C_gd]			+10% -10%

✖La frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de voltaje del dispositivo cae a 1 (0 dB) en una configuración de fuente común con una carga resistiva.ⓘ Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET [f_t]

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Fórmula

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Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Fórmula

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Ejemplo

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

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Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET - (Medido en hercios) - La frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de voltaje del dispositivo cae a 1 (0 dB) en una configuración de fuente común con una carga resistiva.
Transconductancia en MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.
Capacitancia de la fuente de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Capacitancia de drenaje de compuerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de drenaje de compuerta se refiere a la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del dispositivo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia en MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens No se requiere conversión
Capacitancia de la fuente de puerta: 56 Microfaradio --> 5.6E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de drenaje de compuerta: 2.8 Microfaradio --> 2.8E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Evaluar ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

37414.9659863946 hercios -->37.4149659863946 Kilohercio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohercio <-- Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET Fórmula

Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

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