Крутизна МОП-транзистора Калькулятор

✖Ток стока — это ток, который течет между клеммами стока и истока полевого транзистора (FET), который представляет собой тип транзистора, обычно используемый в электронных схемах.ⓘ Ток стока [i_d]			+10% -10%
✖Напряжение перегрузки — это термин, используемый в электронике и относящийся к уровню напряжения, приложенному к устройству или компоненту, который превышает его нормальное рабочее напряжение.ⓘ Повышенное напряжение [V_ov]			+10% -10%

✖Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.ⓘ Крутизна МОП-транзистора [g_m]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Крутизна МОП-транзистора

Формула

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Пример

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Крутизна МОП-транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение
g_m = (2*i_d)/V_ov
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока — это ток, который течет между клеммами стока и истока полевого транзистора (FET), который представляет собой тип транзистора, обычно используемый в электронных схемах.
Повышенное напряжение - (Измеряется в вольт) - Напряжение перегрузки — это термин, используемый в электронике и относящийся к уровню напряжения, приложенному к устройству или компоненту, который превышает его нормальное рабочее напряжение.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ток стока: 0.08 Миллиампер --> 8E-05 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Повышенное напряжение: 0.32 вольт --> 0.32 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Оценка ... ...

g_m = 0.0005

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0005 Сименс -->0.5 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.5 Миллисименс <-- крутизна

(Расчет завершен через 00.022 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » крутизна » Крутизна МОП-транзистора

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 16 крутизна Калькуляторы

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение))

Крутизна заданного параметра крутизны процесса

Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Крутизна тока стока

Идти крутизна = sqrt(2*Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Ток стока)

Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*Повышенное напряжение)

Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Повышенное напряжение

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны

Идти крутизна = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Ток стока)

Ток стока с учетом крутизны процесса и крутизны

Идти Ток стока = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Параметр крутизны процесса)

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Транспроводимость задних ворот

Идти Транспроводимость задних ворот = крутизна*Эффективность напряжения

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Идти Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон

МОП-транзистор

Идти крутизна = Изменение тока стока/Напряжение затвор-исток

Транскондуктивность МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки

Идти крутизна = Параметр крутизны*Повышенное напряжение

Параметр крутизны процесса MOSFET

Идти Параметр крутизны = крутизна/Повышенное напряжение

Ток стока с использованием крутизны

Идти Ток стока = (Повышенное напряжение)*крутизна/2

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

< 15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Напряжение смещения MOSFET

Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET

Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора формула

крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение
g_m = (2*i_d)/V_ov

Что такое напряжение смещения?

Напряжение смещения - это величина напряжения, которое требуется электронному устройству для включения и функционирования. Для работы устройства необходимо тщательно выбирать напряжение смещения, а это означает, что мощность для работы устройства должна быть на определенном уровне. При слишком низком напряжении смещения мощность, которая подается на устройство, может быть недостаточной для его включения, и, следовательно, устройство не включится. При слишком высоком напряжении смещения устройство может получить слишком большой ток и выйти из строя. Уточняйте у производителя используемого устройства, какое напряжение смещения оно должно получить.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!