Transconductance dans MOSFET Calculatrice

✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%
✖La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.ⓘ Tension de surmultiplication [V_ov]			+10% -10%

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance dans MOSFET [g_m]

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Formule

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Transconductance dans MOSFET

Formule

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Exemple

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

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Transconductance dans MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication
g_m = (2*i_d)/V_ov
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Tension de surmultiplication - (Mesuré en Volt) - La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension de surmultiplication: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Évaluer ... ...

g_m = 0.0005

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0005 Siemens -->0.5 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.5 millisiemens <-- Transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Transconductance » Transconductance dans MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Transconductance Calculatrices

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil))

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance donnée Courant de drain

Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication

Transconductance du processus en fonction de la transconductance et du courant de drain

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Drain Current étant donné la transconductance et la transconductance du processus

Aller Courant de vidange = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Paramètre de transconductance de processus)

Transconductance MOSFET donnée Paramètre de transconductance

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

MOSFET Transconductance étant donné la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*Tension de surmultiplication

Paramètre de transconductance de processus du MOSFET

Aller Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication

Transconductance de la porte arrière

Aller Transconductance de la porte arrière = Transconductance*Efficacité de tension

Transconductance MOSFET

Aller Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

< 15 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Transconductance dans MOSFET Formule

Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication
g_m = (2*i_d)/V_ov

Qu'est-ce que la tension de polarisation?

La tension de polarisation est la quantité de tension dont un appareil électronique a besoin pour se mettre sous tension et fonctionner. La tension de polarisation doit être soigneusement choisie pour faire fonctionner l'appareil, ce qui signifie que la puissance pour faire fonctionner l'appareil doit être à un niveau spécifique. Avec une tension de polarisation trop faible, la puissance envoyée à l'appareil peut être insuffisante pour l'allumer et, par conséquent, l'appareil ne s'allume pas. Avec une tension de polarisation trop élevée, l'appareil peut recevoir trop de courant et être détruit. Vérifiez auprès du fabricant de l'appareil utilisé pour vérifier la tension de polarisation qu'il doit recevoir.

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