Transcondutância em MOSFET Calculadora

✖Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%
✖Tensão de overdrive é um termo usado em eletrônica e se refere ao nível de tensão aplicado a um dispositivo ou componente que excede sua tensão normal de operação.ⓘ Tensão de ultrapassagem [V_ov]			+10% -10%

✖A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.ⓘ Transcondutância em MOSFET [g_m]

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Fórmula

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Transcondutância em MOSFET

Fórmula

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Exemplo

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

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Transcondutância em MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem
g_m = (2*i_d)/V_ov
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.
Tensão de ultrapassagem - (Medido em Volt) - Tensão de overdrive é um termo usado em eletrônica e se refere ao nível de tensão aplicado a um dispositivo ou componente que excede sua tensão normal de operação.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de drenagem: 0.08 Miliamperes --> 8E-05 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão de ultrapassagem: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Avaliando ... ...

g_m = 0.0005

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.5 Millisiemens <-- Transcondutância

(Cálculo concluído em 00.007 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 16 Transcondutância Calculadoras

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))

Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Transcondutância dada a corrente de drenagem

Vai Transcondutância = sqrt(2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Corrente de dreno devido à transcondutância e transcondutância do processo

Vai Corrente de drenagem = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Parâmetro de Transcondutância do Processo)

Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem)

Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância do MOSFET dado o parâmetro de transcondutância

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Transcondutância da porta traseira

Vai Transcondutância da porta traseira = Transcondutância*Eficiência de Tensão

Parâmetro de Transcondutância do Processo do MOSFET

Vai Parâmetro de Transcondutância = Transcondutância/Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET dada a tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET

Vai Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte

Drenar corrente usando transcondutância

Vai Corrente de drenagem = (Tensão de ultrapassagem)*Transcondutância/2

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

< 15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Tensão de polarização do MOSFET

Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Condutância na Resistência Linear do MOSFET

Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Transcondutância em MOSFET Fórmula

Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem
g_m = (2*i_d)/V_ov

O que é tensão de polarização?

A tensão de polarização é a quantidade de tensão que um dispositivo eletrônico precisa para ligar e funcionar. A tensão de polarização deve ser cuidadosamente escolhida para operar o dispositivo, o que significa que a energia para operar o dispositivo deve estar em um nível específico. Com uma tensão de polarização muito baixa, a energia enviada ao dispositivo pode ser insuficiente para ligá-lo e, portanto, o dispositivo não ligará. Com muita tensão de polarização, o dispositivo pode receber muita corrente e pode ser destruído. Verifique com o fabricante do dispositivo em uso a quantidade de tensão de polarização que ele deve receber.

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