Transconduttanza nei MOSFET calcolatrice

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%
✖La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.ⓘ Tensione di overdrive [V_ov]			+10% -10%

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza nei MOSFET [g_m]

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Formula

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Transconduttanza nei MOSFET

Formula

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Esempio

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

Calcolatrice

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Transconduttanza nei MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive
g_m = (2*i_d)/V_ov
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Tensione di overdrive - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione di overdrive: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Valutare ... ...

g_m = 0.0005

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.5 Millisiemens <-- Transconduttanza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo

Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni

Transconduttanza del backgate

Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione

MOSFET Transconduttanza

Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source

Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET

Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

< 15 Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione usando il segnale piccolo

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza finita)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Tensione di polarizzazione del MOSFET

Partire Tensione di polarizzazione istantanea totale = Tensione di polarizzazione CC+Tensione CC

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Fattore di amplificazione nel modello MOSFET a piccolo segnale

Partire Fattore di amplificazione = Transconduttanza*Resistenza di uscita

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

Transconduttanza nei MOSFET Formula

Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive
g_m = (2*i_d)/V_ov

Cos'è la tensione di polarizzazione?

La tensione di polarizzazione è la quantità di tensione necessaria a un dispositivo elettronico per accendersi e funzionare. La tensione di polarizzazione deve essere scelta con cura per far funzionare il dispositivo, il che significa che la potenza per far funzionare il dispositivo deve essere a un livello specifico. Con una tensione di polarizzazione troppo bassa, l'alimentazione inviata al dispositivo potrebbe essere insufficiente per accenderlo e, quindi, il dispositivo non si accenderà. Con una tensione di polarizzazione eccessiva, il dispositivo potrebbe ricevere troppa corrente e può essere distrutto. Verificare con il produttore del dispositivo in uso per verificare la quantità di tensione di polarizzazione che dovrebbe ricevere.

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