Calculadora Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

✖La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.ⓘ Transconductancia [G_m]			+10% -10%
✖La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.ⓘ Capacitancia base-emisor [C_eb]			+10% -10%
✖La capacitancia de unión colector-base en modo activo tiene polarización inversa y es la capacitancia entre el colector y la base.ⓘ Capacitancia de la unión de la base del colector [C_cb]			+10% -10%

✖El ancho de banda de ganancia unitaria es simplemente la frecuencia de una señal de entrada en la que la ganancia de bucle abierto es igual a 1.ⓘ Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT [ω_T]

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Fórmula

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Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Fórmula

`"ω"_{"T"} = "G"_{"m"}/("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"})`

Ejemplo

`"637.037Hz"="1.72mS"/("1.5μF"+"1.2μF")`

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Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)
ω_T = G_m/(C_eb+C_cb)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Ancho de banda de ganancia unitaria - (Medido en hercios) - El ancho de banda de ganancia unitaria es simplemente la frecuencia de una señal de entrada en la que la ganancia de bucle abierto es igual a 1.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.
Capacitancia base-emisor - (Medido en Faradio) - La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.
Capacitancia de la unión de la base del colector - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión colector-base en modo activo tiene polarización inversa y es la capacitancia entre el colector y la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 1.72 milisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia base-emisor: 1.5 Microfaradio --> 1.5E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de la unión de la base del colector: 1.2 Microfaradio --> 1.2E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

ω_T = G_m/(C_eb+C_cb) --> 0.00172/(1.5E-06+1.2E-06)

Evaluar ... ...

ω_T = 637.037037037037

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

637.037037037037 hercios --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

637.037037037037 ≈ 637.037 hercios <-- Ancho de banda de ganancia unitaria

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

< 20 Circuito BJT Calculadoras

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Potencia total disipada en BJT

Vamos Fuerza = Tensión colector-emisor*Colector de corriente+Voltaje base-emisor*corriente básica

Corriente de referencia del espejo BJT

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común

Relación de rechazo de modo común

Vamos Tasa de rechazo de modo común = 20*log10(Ganancia de modo diferencial/Ganancia de modo común)

Ganancia de corriente de base común

Vamos Ganancia de corriente de base común = Ganancia de corriente de emisor común/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Voltaje de salida del amplificador BJT

Vamos Tensión de salida = Voltaje de suministro-Corriente de drenaje*Resistencia de carga

Resistencia de salida de BJT

Vamos Resistencia = (Voltaje de suministro+Tensión colector-emisor)/Colector de corriente

Potencia total suministrada en BJT

Vamos Fuerza = Voltaje de suministro*(Colector de corriente+Corriente de entrada)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor

Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Corriente de colector usando corriente de emisor

Vamos Colector de corriente = Ganancia de corriente de base común*Corriente del emisor

Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común

Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor

Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Voltaje de colector a emisor en saturación

Vamos Tensión colector-emisor = Voltaje base-emisor-Voltaje base-colector

Colector de corriente de BJT

Vamos Colector de corriente = Corriente del emisor-corriente básica

Emisor de corriente de BJT

Vamos Corriente del emisor = Colector de corriente+corriente básica

Transconductancia de cortocircuito

Vamos Transconductancia = Corriente de salida/Voltaje de entrada

Ganancia intrínseca de BJT

Vamos Ganancia intrínseca = Voltaje temprano/Voltaje Térmico

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT Fórmula

Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)
ω_T = G_m/(C_eb+C_cb)

¿Cuál es la frecuencia de ganancia unitaria?

La frecuencia a la que la señal de salida se reduce en −3 db. El amplificador se prueba en una configuración de ganancia unitaria, con una pequeña señal aplicada, generalmente 200 mV pp. Se usa una señal de bajo nivel para determinar el ancho de banda porque esto elimina los efectos del límite de velocidad de respuesta en la señal.

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