Largura de banda de ganho unitário de BJT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
ωT = Gm/(Ceb+Ccb)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Largura de banda de ganho de unidade - (Medido em Hertz) - A largura de banda de ganho unitário é simplesmente a frequência de um sinal de entrada na qual o ganho de malha aberta é igual a 1.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é a relação entre a mudança na corrente no terminal de saída e a mudança na tensão no terminal de entrada de um dispositivo ativo.
Capacitância base do emissor - (Medido em Farad) - A capacitância emissor-base é a capacitância entre o emissor e a base.
Capacitância da Junção Coletor-Base - (Medido em Farad) - A capacitância da junção coletor-base no modo ativo é polarizada inversamente e é a capacitância entre o coletor e a base.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Transcondutância: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância base do emissor: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância da Junção Coletor-Base: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ωT = Gm/(Ceb+Ccb) --> 0.00172/(1.5E-06+1.2E-06)
Avaliando ... ...
ωT = 637.037037037037
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
637.037037037037 Hertz --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
637.037037037037 637.037 Hertz <-- Largura de banda de ganho de unidade
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

10+ Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância da Junção Coletor-Base
​ Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação
Frequência de Transição do BJT
​ Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base
​ Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Largura de banda de ganho unitário de BJT
​ Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT
​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)
Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária
​ Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base
Capacitância de difusão de pequenos sinais
​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância
Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT
​ Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual
Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo
​ Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)
Capacitância da Junção Base-Emissor
​ Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

20 Circuito BJT Calculadoras

Frequência de Transição do BJT
​ Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
Corrente de base do transistor PNP usando corrente de saturação
​ Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Largura de banda de ganho unitário de BJT
​ Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
Potência Total Dissipada em BJT
​ Vai Poder = Tensão Coletor-Emissor*Coletor atual+Tensão Base-Emissor*Corrente base
Corrente de Referência do Espelho BJT
​ Vai Corrente de referência = Coletor atual+(2*Coletor atual)/Ganho de Corrente do Emissor Comum
Taxa de rejeição de modo comum
​ Vai Taxa de rejeição de modo comum = 20*log10(Ganho do Modo Diferencial/Ganho de Modo Comum)
Tensão de saída do amplificador BJT
​ Vai Voltagem de saída = Tensão de alimentação-Drenar Corrente*Resistência de carga
Ganho de corrente de base comum
​ Vai Ganho de corrente de base comum = Ganho de Corrente do Emissor Comum/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)
Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária
​ Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base
Resistência de saída do BJT
​ Vai Resistência = (Tensão de alimentação+Tensão Coletor-Emissor)/Coletor atual
Potência Total Fornecida em BJT
​ Vai Poder = Tensão de alimentação*(Coletor atual+Corrente de entrada)
Corrente de base do transistor PNP dada a corrente do emissor
​ Vai Corrente base = corrente do emissor/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)
Corrente de base do transistor PNP usando ganho de corrente de base comum
​ Vai Corrente base = (1-Ganho de corrente de base comum)*corrente do emissor
Tensão do coletor para o emissor na saturação
​ Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base
Corrente do Coletor usando a Corrente do Emissor
​ Vai Coletor atual = Ganho de corrente de base comum*corrente do emissor
Corrente de Base do Transistor PNP usando Corrente de Coletor
​ Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum
Transcondutância de curto-circuito
​ Vai Transcondutância = Corrente de saída/Tensão de entrada
Corrente de Coletor de BJT
​ Vai Coletor atual = corrente do emissor-Corrente base
Corrente Emissora de BJT
​ Vai corrente do emissor = Coletor atual+Corrente base
Ganho Intrínseco do BJT
​ Vai Ganho Intrínseco = Tensão inicial/Tensão Térmica

Largura de banda de ganho unitário de BJT Fórmula

Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
ωT = Gm/(Ceb+Ccb)

Qual é a frequência de ganho de unidade?

A frequência na qual o sinal de saída é reduzido em -3 db. O amplificador é testado em uma configuração de ganho unitário, com um pequeno sinal aplicado, geralmente 200 mV pp. Um sinal de baixo nível é usado para determinar a largura de banda porque isso elimina os efeitos do limite da taxa de variação no sinal.

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