Unity-Gain-Bandbreite von BJT Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Steilheit [G_m]			+10% -10%
✖Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.ⓘ Emitter-Basis-Kapazität [C_eb]			+10% -10%
✖Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.ⓘ Kollektor-Basis-Übergangskapazität [C_cb]			+10% -10%

✖Unity-Gain Bandwidth ist einfach die Frequenz eines Eingangssignals, bei der die Open-Loop-Verstärkung gleich 1 ist.ⓘ Unity-Gain-Bandbreite von BJT [ω_T]

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Formel

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Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Formel

`"ω"_{"T"} = "G"_{"m"}/("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"})`

Beispiel

`"637.037Hz"="1.72mS"/("1.5μF"+"1.2μF")`

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Unity-Gain-Bandbreite von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)
ω_T = G_m/(C_eb+C_cb)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Unity-Gain-Bandbreite - (Gemessen in Hertz) - Unity-Gain Bandwidth ist einfach die Frequenz eines Eingangssignals, bei der die Open-Loop-Verstärkung gleich 1 ist.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.
Kollektor-Basis-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Emitter-Basis-Kapazität: 1.5 Mikrofarad --> 1.5E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kollektor-Basis-Übergangskapazität: 1.2 Mikrofarad --> 1.2E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ω_T = G_m/(C_eb+C_cb) --> 0.00172/(1.5E-06+1.2E-06)

Auswerten ... ...

ω_T = 637.037037037037

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

637.037037037037 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

637.037037037037 ≈ 637.037 Hertz <-- Unity-Gain-Bandbreite

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 10+ Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Unity-Gain-Bandbreite von BJT Formel

Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)
ω_T = G_m/(C_eb+C_cb)

Was ist die Einheitsverstärkungsfrequenz?

Die Frequenz, bei der das Ausgangssignal um –3 dB reduziert wird. Der Verstärker wird in einer Konfiguration mit Einheitsverstärkung getestet, wobei ein kleines Signal angelegt wird, normalerweise 200 mV pp. Ein Signal mit niedrigem Pegel wird verwendet, um die Bandbreite zu bestimmen, da dies die Auswirkungen der Anstiegsratenbegrenzung auf das Signal beseitigt.

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