Effet corporel dans NMOS Calculatrice

✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_T]			+10% -10%
✖Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.ⓘ Paramètre de processus de fabrication [γ]			+10% -10%
✖Les paramètres physiques peuvent être utilisés pour décrire l'état ou la condition d'un système physique, ou pour caractériser la manière dont le système répond à divers stimuli ou entrées.ⓘ Paramètre physique [φ_f]			+10% -10%
✖La tension entre le corps et la source est importante car elle peut avoir un effet sur le fonctionnement sûr des appareils électroniques.ⓘ Tension entre le corps et la source [V_SB]			+10% -10%

✖La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement.ⓘ Effet corporel dans NMOS [ΔV_th]

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Formule

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Effet corporel dans NMOS

Formule

`"ΔV"_{"th"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Exemple

`"37.22441V"="1.82V"+"204"*(sqrt(2*"13V"+"1.8V")-sqrt(2*"13V"))`

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Effet corporel dans NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Changement de tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Paramètre de processus de fabrication - Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.
Paramètre physique - (Mesuré en Volt) - Les paramètres physiques peuvent être utilisés pour décrire l'état ou la condition d'un système physique, ou pour caractériser la manière dont le système répond à divers stimuli ou entrées.
Tension entre le corps et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre le corps et la source est importante car elle peut avoir un effet sur le fonctionnement sûr des appareils électroniques.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Aucune conversion requise
Paramètre de processus de fabrication: 204 --> Aucune conversion requise
Paramètre physique: 13 Volt --> 13 Volt Aucune conversion requise
Tension entre le corps et la source: 1.8 Volt --> 1.8 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Évaluer ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

37.2244074665399 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Volt <-- Changement de tension de seuil

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

Effet corporel dans NMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale fournie en NMOS

Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect

Puissance totale dissipée dans NMOS

Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS

Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS

Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Effet corporel dans NMOS Formule

Quelle est la cause de l'effet corporel dans NMOS? qu'est-ce que le biais corporel?

L'effet de corps est causé parce que la différence de tension entre la source et le corps affecte le VT, le corps peut être considéré comme une seconde porte qui aide à déterminer comment le transistor s'allume et s'éteint. La polarisation de corps implique la connexion des corps de transistor à un réseau de polarisation dans la configuration du circuit plutôt qu'à l'alimentation ou à la masse. La polarisation corporelle peut être fournie à partir d'une source externe (hors puce) ou d'une source interne (sur puce).

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