Efeito Corporal em NMOS Calculadora

✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%
✖O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.ⓘ Parâmetro do Processo de Fabricação [γ]			+10% -10%
✖Parâmetros físicos podem ser usados para descrever o estado ou condição de um sistema físico, ou para caracterizar a maneira como o sistema responde a vários estímulos ou entradas.ⓘ Parâmetro físico [φ_f]			+10% -10%
✖A tensão entre o corpo e a fonte é importante porque pode afetar a operação segura de dispositivos eletrônicos.ⓘ Tensão entre Corpo e Fonte [V_SB]			+10% -10%

✖A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento.ⓘ Efeito Corporal em NMOS [ΔV_th]

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Fórmula

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Efeito Corporal em NMOS

Fórmula

`"ΔV"_{"th"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Exemplo

`"37.22441V"="1.82V"+"204"*(sqrt(2*"13V"+"1.8V")-sqrt(2*"13V"))`

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Efeito Corporal em NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Mudança na Tensão Limiar - (Medido em Volt) - A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Parâmetro do Processo de Fabricação - O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.
Parâmetro físico - (Medido em Volt) - Parâmetros físicos podem ser usados para descrever o estado ou condição de um sistema físico, ou para caracterizar a maneira como o sistema responde a vários estímulos ou entradas.
Tensão entre Corpo e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o corpo e a fonte é importante porque pode afetar a operação segura de dispositivos eletrônicos.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de limiar: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nenhuma conversão necessária
Parâmetro do Processo de Fabricação: 204 --> Nenhuma conversão necessária
Parâmetro físico: 13 Volt --> 13 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Corpo e Fonte: 1.8 Volt --> 1.8 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Avaliando ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

37.2244074665399 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Volt <-- Mudança na Tensão Limiar

(Cálculo concluído em 00.012 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Efeito Corporal em NMOS Fórmula

Qual é a causa do efeito corporal no NMOS? o que é preconceito corporal?

O efeito do corpo é causado porque a diferença de voltagem entre a fonte e o corpo afeta o VT, o corpo pode ser considerado uma segunda porta que ajuda a determinar como o transistor liga e desliga. A polarização do corpo envolve a conexão dos corpos do transistor a uma rede de polarização no layout do circuito, e não à alimentação ou aterramento. A polarização do corpo pode ser fornecida de uma fonte externa (fora do chip) ou uma fonte interna (no chip).

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