Effetto corpo in NMOS calcolatrice

✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%
✖Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.ⓘ Parametro del processo di fabbricazione [γ]			+10% -10%
✖I parametri fisici possono essere utilizzati per descrivere lo stato o la condizione di un sistema fisico o per caratterizzare il modo in cui il sistema risponde a vari stimoli o input.ⓘ Parametro fisico [φ_f]			+10% -10%
✖La tensione tra corpo e sorgente è importante perché può influire sul funzionamento sicuro dei dispositivi elettronici.ⓘ Tensione tra Body e Source [V_SB]			+10% -10%

✖La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento.ⓘ Effetto corpo in NMOS [ΔV_th]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Effetto corpo in NMOS

Formula

`"ΔV"_{"th"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Esempio

`"37.22441V"="1.82V"+"204"*(sqrt(2*"13V"+"1.8V")-sqrt(2*"13V"))`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento MOSFET Formula PDF PDF Image

Effetto corpo in NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Variazione della tensione di soglia - (Misurato in Volt) - La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Parametro del processo di fabbricazione - Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.
Parametro fisico - (Misurato in Volt) - I parametri fisici possono essere utilizzati per descrivere lo stato o la condizione di un sistema fisico o per caratterizzare il modo in cui il sistema risponde a vari stimoli o input.
Tensione tra Body e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra corpo e sorgente è importante perché può influire sul funzionamento sicuro dei dispositivi elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Soglia di voltaggio: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nessuna conversione richiesta
Parametro del processo di fabbricazione: 204 --> Nessuna conversione richiesta
Parametro fisico: 13 Volt --> 13 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Body e Source: 1.8 Volt --> 1.8 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Valutare ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

37.2244074665399 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Volt <-- Variazione della tensione di soglia

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » MOSFET » Elettronica analogica » Miglioramento del canale N » Effetto corpo in NMOS

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Effetto corpo in NMOS Formula

Qual è la causa dell'effetto del corpo in NMOS? cos'è il bias del corpo?

L'effetto del corpo è causato perché la differenza di tensione tra la sorgente e il corpo influisce sul TV, il corpo può essere pensato come un secondo gate che aiuta a determinare come il transistor si accende e si spegne. La polarizzazione del corpo implica il collegamento dei corpi del transistor a una rete di polarizzazione nel layout del circuito piuttosto che all'alimentazione o alla terra. La polarizzazione del corpo può essere fornita da una sorgente esterna (off-chip) o da una sorgente interna (on-chip).

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!