Efekt ciała w NMOS Kalkulator

✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.ⓘ Parametr procesu produkcyjnego [γ]			+10% -10%
✖Parametrów fizycznych można użyć do opisania stanu lub stanu systemu fizycznego lub do scharakteryzowania sposobu, w jaki system reaguje na różne bodźce lub dane wejściowe.ⓘ Parametr fizyczny [φ_f]			+10% -10%
✖Napięcie pomiędzy ciałem a źródłem jest ważne, ponieważ może mieć wpływ na bezpieczną pracę urządzeń elektronicznych.ⓘ Napięcie między ciałem a źródłem [V_SB]			+10% -10%

✖Zmiana napięcia progowego może być spowodowana różnymi czynnikami, w tym zmianami temperatury, ekspozycją na promieniowanie i starzeniem.ⓘ Efekt ciała w NMOS [ΔV_th]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Efekt ciała w NMOS

Formuła

`"ΔV"_{"th"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Przykład

`"37.22441V"="1.82V"+"204"*(sqrt(2*"13V"+"1.8V")-sqrt(2*"13V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Efekt ciała w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Zmiana napięcia progowego - (Mierzone w Wolt) - Zmiana napięcia progowego może być spowodowana różnymi czynnikami, w tym zmianami temperatury, ekspozycją na promieniowanie i starzeniem.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Parametr procesu produkcyjnego - Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.
Parametr fizyczny - (Mierzone w Wolt) - Parametrów fizycznych można użyć do opisania stanu lub stanu systemu fizycznego lub do scharakteryzowania sposobu, w jaki system reaguje na różne bodźce lub dane wejściowe.
Napięcie między ciałem a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie pomiędzy ciałem a źródłem jest ważne, ponieważ może mieć wpływ na bezpieczną pracę urządzeń elektronicznych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Próg napięcia: 1.82 Wolt --> 1.82 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Parametr procesu produkcyjnego: 204 --> Nie jest wymagana konwersja
Parametr fizyczny: 13 Wolt --> 13 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między ciałem a źródłem: 1.8 Wolt --> 1.8 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Ocenianie ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

37.2244074665399 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Wolt <-- Zmiana napięcia progowego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału N » Efekt ciała w NMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Efekt ciała w NMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*Napięcie źródła drenażu*(Napięcie przesterowania w NMOS-1/2*Napięcie źródła drenażu)

NMOS jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))

Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Iść Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa

Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie przesterowania w NMOS)^2

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Iść Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)

Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS

Iść Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Iść Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału

Pojemność tlenkowa NMOS

Iść Pojemność tlenkowa = (3.45*10^(-11))/Grubość tlenku

Efekt ciała w NMOS Formułę

Jaka jest przyczyna efektu ciała w NMOS? co to jest stronniczość ciała?

Efekt ciała jest spowodowany tym, że różnica napięcia między źródłem a ciałem wpływa na VT, ciało można traktować jako drugą bramkę, która pomaga określić, w jaki sposób tranzystor włącza się i wyłącza. Odchylenie ciała polega na podłączeniu korpusów tranzystorów do sieci polaryzacji w układzie obwodu, a nie do zasilania lub masy. Odchylenie korpusu może być dostarczane z zewnętrznego (poza chipem) lub wewnętrznego (na chipie) źródła.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!