Lichaamseffect in NMOS Rekenmachine

✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.ⓘ Fabricageprocesparameter [γ]			+10% -10%
✖Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.ⓘ Fysieke parameters [φ_f]			+10% -10%
✖De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.ⓘ Spanning tussen Lichaam en Bron [V_SB]			+10% -10%

✖Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.ⓘ Lichaamseffect in NMOS [ΔV_th]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lichaamseffect in NMOS

Formule

`"ΔV"_{"th"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Voorbeeld

`"37.22441V"="1.82V"+"204"*(sqrt(2*"13V"+"1.8V")-sqrt(2*"13V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Lichaamseffect in NMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Verandering in drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Fabricageprocesparameter - De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.
Fysieke parameters - (Gemeten in Volt) - Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.
Spanning tussen Lichaam en Bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Geen conversie vereist
Fabricageprocesparameter: 204 --> Geen conversie vereist
Fysieke parameters: 13 Volt --> 13 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen Lichaam en Bron: 1.8 Volt --> 1.8 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

Evalueren ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

37.2244074665399 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

37.2244074665399 ≈ 37.22441 Volt <-- Verandering in drempelspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » N-Channel-verbetering » Lichaamseffect in NMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)

Lichaamseffect in NMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)

NMOS als lineaire weerstand

Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))

Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Fabricageprocesparameter van NMOS

Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Totaal geleverd vermogen in NMOS

Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding

Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom

Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie

Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS

Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand

Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS

Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal

Oxidecapaciteit van NMOS

Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Lichaamseffect in NMOS Formule

Wat is de oorzaak van het lichaamseffect bij NMOS? wat is lichaamsbias?

Body-effect wordt veroorzaakt omdat het spanningsverschil tussen de bron en het lichaam de VT beïnvloedt, het lichaam kan worden gezien als een tweede poort die helpt bepalen hoe de transistor wordt in- en uitgeschakeld. Body bias houdt in dat de transistorlichamen worden aangesloten op een biasnetwerk in de circuitlay-out in plaats van op stroom of aarde. De lichaamsbias kan worden geleverd door een externe (off-chip) bron of een interne (on-chip) bron.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!