Zone transversale de jonction Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.ⓘ Frais totaux de l'accepteur [\|Q\|]			+10% -10%
✖La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.ⓘ Pénétration de charge de type N [x_no]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%

✖La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.ⓘ Zone transversale de jonction [A_j]

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Formule

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Zone transversale de jonction

Formule

`"A"_{"j"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"N"_{"a"})`

Exemple

`"5405.704µm²"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"7.9e35/m³")`

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Zone transversale de jonction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.
Frais totaux de l'accepteur - (Mesuré en Coulomb) - La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.
Pénétration de charge de type N - (Mesuré en Mètre) - La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Frais totaux de l'accepteur: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Aucune conversion requise
Pénétration de charge de type N: 0.019 Micromètre --> 1.9E-08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'accepteur: 7.9E+35 1 par mètre cube --> 7.9E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)

Évaluer ... ...

A_j = 5.40570410906043E-09

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.40570410906043E-09 Mètre carré -->5405.70410906043 Micromètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5405.70410906043 ≈ 5405.704 Micromètre carré <-- Zone de jonction

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction

Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Longueur de la jonction côté P

Aller Longueur de la jonction côté P = (Courant optique/([Charge-e]*Zone de jonction*Taux de génération optique))-(Largeur de transition de jonction+Longueur de diffusion de la région de transition)

Largeur de transition de jonction

Aller Largeur de transition de jonction = Pénétration de charge de type N*((Concentration d'accepteur+Concentration des donateurs)/Concentration d'accepteur)

Résistance série en type P

Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Résistance série en type N

Aller Résistance série dans la jonction N = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction P

Tension de jonction

Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Concentration des donateurs

Aller Concentration des donateurs = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type P*Zone de jonction)

Zone transversale de jonction

Aller Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)

Concentration d'accepteur

Aller Concentration d'accepteur = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction)

Largeur de type N

Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Frais totaux de l'accepteur

Aller Frais totaux de l'accepteur = [Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction*Concentration d'accepteur

Coefficient d'absorption

Aller Coefficient d'absorption = (-1/Épaisseur de l'échantillon)*ln(Pouvoir absorbé/Puissance incidente)

Pouvoir absorbé

Aller Pouvoir absorbé = Puissance incidente*exp(-Épaisseur de l'échantillon*Coefficient d'absorption)

Répartition nette des frais

Aller Répartition nette = (Concentration des donateurs-Concentration d'accepteur)/Constante graduée

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction = Décalage de longueur constante+Longueur de canal efficace

Nombre quantique

Aller Nombre quantique = [Coulomb]*Longueur potentielle du puits/3.14

Zone transversale de jonction Formule

Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)

Comment se forme une jonction semiconductrice ?

Les jonctions Pn sont formées en joignant des matériaux semi-conducteurs de type n et de type p, comme indiqué ci-dessous. ... Cependant, dans une jonction pn, lorsque les électrons et les trous se déplacent de l'autre côté de la jonction, ils laissent derrière eux des charges exposées sur les sites d'atomes dopants, qui sont fixés dans le réseau cristallin et sont incapables de se déplacer.

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