Dwarsdoorsnede van kruising Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Total Acceptor Charge verwijst naar de totale netto lading geassocieerd met de acceptoratomen in een halfgeleidermateriaal of apparaat.ⓘ Totale acceptatiekosten [\|Q\|]			+10% -10%
✖Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.ⓘ Ladingspenetratie N-type [x_no]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.ⓘ Acceptor concentratie [N_a]			+10% -10%

✖Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.ⓘ Dwarsdoorsnede van kruising [A_j]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Dwarsdoorsnede van kruising

Formule

`"A"_{"j"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"N"_{"a"})`

Voorbeeld

`"5405.704µm²"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"7.9e35/m³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden SSD-knooppunt Formules Pdf PDF Image

Dwarsdoorsnede van kruising Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verbindingsgebied = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Acceptor concentratie)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Verbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.
Totale acceptatiekosten - (Gemeten in Coulomb) - Total Acceptor Charge verwijst naar de totale netto lading geassocieerd met de acceptoratomen in een halfgeleidermateriaal of apparaat.
Ladingspenetratie N-type - (Gemeten in Meter) - Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.
Acceptor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Totale acceptatiekosten: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Geen conversie vereist
Ladingspenetratie N-type: 0.019 Micrometer --> 1.9E-08 Meter (Bekijk de conversie hier)
Acceptor concentratie: 7.9E+35 1 per kubieke meter --> 7.9E+35 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)

Evalueren ... ...

A_j = 5.40570410906043E-09

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.40570410906043E-09 Plein Meter -->5405.70410906043 Plein Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

5405.70410906043 ≈ 5405.704 Plein Micrometer <-- Verbindingsgebied

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » SSD-knooppunt » Dwarsdoorsnede van kruising

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 SSD-knooppunt Rekenmachines

Verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = (Verbindingsgebied/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Constante lengteverschuiving*Dopingconcentratie van base)/(Bronspanning-Bronspanning 1))

Lengte van de P-zijde kruising

Gaan Lengte van de P-zijde kruising = (Optische Stroom/([Charge-e]*Verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid))-(Junction Overgangsbreedte+Diffusielengte van overgangsgebied)

Junction Overgangsbreedte

Gaan Junction Overgangsbreedte = Ladingspenetratie N-type*((Acceptor concentratie+Donor concentratie)/Acceptor concentratie)

Serieweerstand in P-type

Gaan Serieweerstand in P-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in N-kruising

Serieweerstand in N-type

Gaan Serieweerstand in N-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in P-kruising

Junctiespanning

Gaan Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom

Dwarsdoorsnede van kruising

Gaan Verbindingsgebied = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Acceptor concentratie)

Breedte van het type N

Gaan Ladingspenetratie N-type = Totale acceptatiekosten/(Verbindingsgebied*Acceptor concentratie*[Charge-e])

Acceptor concentratie

Gaan Acceptor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied)

Totale acceptatiekosten

Gaan Totale acceptatiekosten = [Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied*Acceptor concentratie

Donor concentratie

Gaan Donor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie P-type*Verbindingsgebied)

Absorptiecoëfficiënt

Gaan Absorptiecoëfficiënt = (-1/Monster Dikte)*ln(Opgenomen vermogen/Incidentele kracht)

Opgenomen vermogen

Gaan Opgenomen vermogen = Incidentele kracht*exp(-Monster Dikte*Absorptiecoëfficiënt)

Netto verdeling van kosten

Gaan Netto distributie = (Donor concentratie-Acceptor concentratie)/Gegradeerde constante

PN Junction Lengte

Gaan Verbindingslengte = Constante lengteverschuiving+Effectieve kanaallengte

Kwantum nummer

Gaan Kwantum nummer = [Coulomb]*Potentiële putlengte/3.14

Dwarsdoorsnede van kruising Formule

Verbindingsgebied = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Acceptor concentratie)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)

Hoe ontstaat een halfgeleiderovergang?

Pn-overgangen worden gevormd door het samenvoegen van n-type en p-type halfgeleidermaterialen, zoals hieronder weergegeven. ... Echter, in een pn-overgang, wanneer de elektronen en gaten naar de andere kant van de junctie bewegen, laten ze blootgestelde ladingen achter op doteringsatoomplaatsen, die in het kristalrooster zijn gefixeerd en niet kunnen bewegen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!