Área transversal de la unión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)
Aj = |Q|/([Charge-e]*xno*Na)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.
Cargo total del aceptador - (Medido en Culombio) - La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.
Penetración de carga tipo N - (Medido en Metro) - El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Cargo total del aceptador: 13 Culombio --> 13 Culombio No se requiere conversión
Penetración de carga tipo N: 0.019 Micrómetro --> 1.9E-08 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración del aceptor: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Aj = |Q|/([Charge-e]*xno*Na) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)
Evaluar ... ...
Aj = 5.40570410906043E-09
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.40570410906043E-09 Metro cuadrado -->5405.70410906043 Micrómetro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
5405.70410906043 5405.704 Micrómetro cuadrado <-- Área de unión
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri LinkedIn Logo
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
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Verificada por Urvi Rathod LinkedIn Logo
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))
Resistencia en serie en tipo P
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N
Voltaje de unión
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica
Ancho tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Área transversal de la unión Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)
Aj = |Q|/([Charge-e]*xno*Na)

¿Cómo se forma una unión semiconductora?

Las uniones Pn se forman uniendo materiales semiconductores tipo n y tipo p, como se muestra a continuación. ... Sin embargo, en una unión pn, cuando los electrones y los huecos se mueven hacia el otro lado de la unión, dejan atrás cargas expuestas en sitios de átomos dopantes, que están fijos en la red cristalina y no pueden moverse.

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