Querschnittsbereich der Kreuzung Taschenrechner

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✖Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.ⓘ Gesamtakzeptanzgebühr [\|Q\|]			+10% -10%
✖Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.ⓘ Ladungsdurchdringung N-Typ [x_no]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%

✖Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.ⓘ Querschnittsbereich der Kreuzung [A_j]

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Formel

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Querschnittsbereich der Kreuzung

Formel

`"A"_{"j"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"N"_{"a"})`

Beispiel

`"5405.704µm²"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"7.9e35/m³")`

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Querschnittsbereich der Kreuzung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.
Gesamtakzeptanzgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.
Ladungsdurchdringung N-Typ - (Gemessen in Meter) - Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtakzeptanzgebühr: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
Ladungsdurchdringung N-Typ: 0.019 Mikrometer --> 1.9E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Akzeptorkonzentration: 7.9E+35 1 pro Kubikmeter --> 7.9E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)

Auswerten ... ...

A_j = 5.40570410906043E-09

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.40570410906043E-09 Quadratmeter -->5405.70410906043 Quadratmikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5405.70410906043 ≈ 5405.704 Quadratmikrometer <-- Kreuzungsbereich

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Länge der p-seitigen Verbindung

Gehen Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)

Serienwiderstand im P-Typ

Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

Serienwiderstand im N-Typ

Gehen Serienwiderstand im N-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Reihenwiderstand im P-Übergang

Kreuzungsübergangsbreite

Gehen Kreuzungsübergangsbreite = Ladungsdurchdringung N-Typ*((Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)/Akzeptorkonzentration)

Sperrschichtspannung

Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

Querschnittsbereich der Kreuzung

Gehen Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)

Akzeptorkonzentration

Gehen Akzeptorkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich)

N-Typ-Breite

Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Spenderkonzentration

Gehen Spenderkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung P-Typ*Kreuzungsbereich)

Gesamtakzeptanzgebühr

Gehen Gesamtakzeptanzgebühr = [Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration

Absorptionskoeffizient

Gehen Absorptionskoeffizient = (-1/Probendicke)*ln(Absorbierte Leistung/Vorfallleistung)

Absorbierte Leistung

Gehen Absorbierte Leistung = Vorfallleistung*exp(-Probendicke*Absorptionskoeffizient)

Nettoverteilung der Ladung

Gehen Nettoverteilung = (Spenderkonzentration-Akzeptorkonzentration)/Abgestufte Konstante

PN Verbindungslänge

Gehen Verbindungslänge = Konstanter Längenversatz+Effektive Kanallänge

Quantenzahl

Gehen Quantenzahl = [Coulomb]*Mögliche Bohrlochlänge/3.14

Querschnittsbereich der Kreuzung Formel

Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)

Wie entsteht ein Halbleiterübergang?

Pn-Übergänge werden durch Verbinden von Halbleitermaterialien vom n-Typ und p-Typ gebildet, wie unten gezeigt. ... Wenn sich die Elektronen und Löcher in einem pn-Übergang jedoch auf die andere Seite des Übergangs bewegen, hinterlassen sie freiliegende Ladungen auf Dotieratomplätzen, die im Kristallgitter fixiert sind und sich nicht bewegen können.

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