Trou de densité actuelle Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés bipolaires

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés MOS

✖Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.ⓘ Constante de diffusion pour PNP [D_p]			+10% -10%
✖La concentration d'équilibre des trous est une propriété caractéristique du matériau et est déterminée par des facteurs intrinsèques tels que l'énergie de la bande interdite et la température.ⓘ Concentration d'équilibre du trou [p_n]			+10% -10%
✖La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.ⓘ Largeur de base [W_b]			+10% -10%

✖La densité de courant de trou contribue au courant total dans un dispositif semi-conducteur et constitue un paramètre essentiel pour comprendre le comportement du semi-conducteur.ⓘ Trou de densité actuelle [J_p]

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Formule

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Trou de densité actuelle

Formule

`"J"_{"p"} = "q"*"D"_{"p"}*("p"_{"n"}/"W"_{"b"})`

Exemple

`"4.375A/cm²"="5mC"*"100cm²/s"*("70/cm³"/"8cm")`

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Trou de densité actuelle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Densité de courant de trou - (Mesuré en Ampère par mètre carré) - La densité de courant de trou contribue au courant total dans un dispositif semi-conducteur et constitue un paramètre essentiel pour comprendre le comportement du semi-conducteur.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Constante de diffusion pour PNP - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.
Concentration d'équilibre du trou - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre des trous est une propriété caractéristique du matériau et est déterminée par des facteurs intrinsèques tels que l'énergie de la bande interdite et la température.
Largeur de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Constante de diffusion pour PNP: 100 Centimètre carré par seconde --> 0.01 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'équilibre du trou: 70 1 par centimètre cube --> 70000000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de base: 8 Centimètre --> 0.08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Évaluer ... ...

J_p = 43750

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

43750 Ampère par mètre carré -->4.375 Ampère par centimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

4.375 Ampère par centimètre carré <-- Densité de courant de trou

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

< 19 Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Résistance du parallélépipède rectangulaire

Aller Résistance = ((Résistivité*Épaisseur de couche)/(Largeur de la couche diffusée*Longueur de la couche diffusée))*(ln(Largeur du rectangle inférieur/Longueur du rectangle inférieur)/(Largeur du rectangle inférieur-Longueur du rectangle inférieur))

Atomes d'impuretés par unité de surface

Aller Impureté totale = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique))

Conductivité de type P

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P)

Conductivité de type N

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Courant collecteur du transistor PNP

Aller Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

Aller Capacité de la source de porte = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement)

Courant de saturation dans le transistor

Aller Courant de saturation = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale

Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation

Aller Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Nombre total de sorties de commutation

Résistance de la feuille de couche

Aller Résistance de feuille = 1/(Charge*Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N*Épaisseur de couche)

Résistance de la couche diffusée

Aller Résistance = (1/Conductivité Ohmique)*(Longueur de la couche diffusée/(Largeur de la couche diffusée*Épaisseur de couche))

Trou de densité actuelle

Aller Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)

Impureté à concentration intrinsèque

Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Efficacité d'injection de l'émetteur

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Courant de l'émetteur/(Courant d'émetteur dû aux électrons+Courant de l'émetteur dû aux trous)

Courant circulant dans la diode Zener

Aller Courant de diode = (Tension de référence d'entrée-Tension de sortie stable)/Résistance Zener

Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés

Aller Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés = Fréquence du signal de sortie/Tension d'entrée

Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Dopage côté N/(Dopage côté N+Dopage côté P)

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base

Aller Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)

Trou de densité actuelle Formule

Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)

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