Плотность тока Отверстие Калькулятор

✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Константа диффузии для PNP описывает, насколько легко эти неосновные носители диффундируют через полупроводниковый материал при приложении электрического поля.ⓘ Константа диффузии для PNP [D_p]			+10% -10%
✖Равновесная концентрация дырок является характерным свойством материала и определяется внутренними факторами, такими как энергия запрещенной зоны и температура.ⓘ Равновесная концентрация дырок [p_n]			+10% -10%
✖Ширина базы — важный параметр, влияющий на характеристики транзистора, особенно с точки зрения его работы и быстродействия.ⓘ Базовая ширина [W_b]			+10% -10%

✖Плотность дырочного тока влияет на общий ток в полупроводниковом устройстве и является важным параметром для понимания поведения полупроводника.ⓘ Плотность тока Отверстие [J_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Плотность тока Отверстие

Формула

`"J"_{"p"} = "q"*"D"_{"p"}*("p"_{"n"}/"W"_{"b"})`

Пример

`"4.375A/cm²"="5mC"*"100cm²/s"*("70/cm³"/"8cm")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Плотность тока Отверстие Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Плотность тока отверстия - (Измеряется в Ампер на квадратный метр) - Плотность дырочного тока влияет на общий ток в полупроводниковом устройстве и является важным параметром для понимания поведения полупроводника.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Константа диффузии для PNP - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Константа диффузии для PNP описывает, насколько легко эти неосновные носители диффундируют через полупроводниковый материал при приложении электрического поля.
Равновесная концентрация дырок - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Равновесная концентрация дырок является характерным свойством материала и определяется внутренними факторами, такими как энергия запрещенной зоны и температура.
Базовая ширина - (Измеряется в метр) - Ширина базы — важный параметр, влияющий на характеристики транзистора, особенно с точки зрения его работы и быстродействия.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Константа диффузии для PNP: 100 Квадратный сантиметр в секунду --> 0.01 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Равновесная концентрация дырок: 70 1 на кубический сантиметр --> 70000000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Базовая ширина: 8 сантиметр --> 0.08 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Оценка ... ...

J_p = 43750

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

43750 Ампер на квадратный метр -->4.375 Ампер на квадратный сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.375 Ампер на квадратный сантиметр <-- Плотность тока отверстия

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Плотность тока Отверстие

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Плотность тока Отверстие формула

Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!