Aktuelle Dichteloch Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)
Jp = q*Dp*(pn/Wb)
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Lochstromdichte - (Gemessen in Ampere pro Quadratmeter) - Die Lochstromdichte trägt zum Gesamtstrom in einem Halbleiterbauelement bei und ist ein wesentlicher Parameter für das Verständnis des Verhaltens von Halbleitern.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Diffusionskonstante für PNP - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Die Diffusionskonstante für PNP beschreibt, wie leicht diese Minoritätsträger durch das Halbleitermaterial diffundieren, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird.
Lochgleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Lochgleichgewichtskonzentration ist eine charakteristische Eigenschaft des Materials und wird durch intrinsische Faktoren wie die Bandlückenenergie und die Temperatur bestimmt.
Basisbreite - (Gemessen in Meter) - Die Basisbreite ist ein wichtiger Parameter, der die Eigenschaften des Transistors beeinflusst, insbesondere im Hinblick auf seinen Betrieb und seine Geschwindigkeit.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Diffusionskonstante für PNP: 100 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 0.01 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Lochgleichgewichtskonzentration: 70 1 pro Kubikzentimeter --> 70000000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Basisbreite: 8 Zentimeter --> 0.08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Jp = q*Dp*(pn/Wb) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)
Auswerten ... ...
Jp = 43750
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
43750 Ampere pro Quadratmeter -->4.375 Ampere pro Quadratzentimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4.375 Ampere pro Quadratzentimeter <-- Lochstromdichte
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Rahul Gupta
Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

19 Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds
​ Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))
Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit
​ Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))
Leitfähigkeit vom N-Typ
​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
Leitfähigkeit vom P-Typ
​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)
Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen
​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
Kollektorstrom des PNP-Transistors
​ Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite
Sättigungsstrom im Transistor
​ Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit
Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität
​ Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)
Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung
​ Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge
Schichtwiderstand der Schicht
​ Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)
Widerstand der diffundierten Schicht
​ Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))
Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration
​ Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
Aktuelle Dichteloch
​ Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)
Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters
​ Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)
Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten
​ Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)
Emitter-Injektionseffizienz
​ Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)
Strom fließt in der Zenerdiode
​ Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand
Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs
​ Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung
Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite
​ Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Aktuelle Dichteloch Formel

Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)
Jp = q*Dp*(pn/Wb)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!