Gat met huidige dichtheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.ⓘ Diffusieconstante voor PNP [D_p]			+10% -10%
✖Gatenevenwichtsconcentratie is een karakteristieke eigenschap van het materiaal en wordt bepaald door intrinsieke factoren zoals de bandgap-energie en temperatuur.ⓘ Gatenevenwichtsconcentratie [p_n]			+10% -10%
✖De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.ⓘ Basisbreedte [W_b]			+10% -10%

✖De gatstroomdichtheid draagt bij aan de totale stroom in een halfgeleiderapparaat en is een essentiële parameter bij het begrijpen van het gedrag van halfgeleiders.ⓘ Gat met huidige dichtheid [J_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gat met huidige dichtheid

Formule

`"J"_{"p"} = "q"*"D"_{"p"}*("p"_{"n"}/"W"_{"b"})`

Voorbeeld

`"4.375A/cm²"="5mC"*"100cm²/s"*("70/cm³"/"8cm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Gat met huidige dichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gatenstroomdichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - De gatstroomdichtheid draagt bij aan de totale stroom in een halfgeleiderapparaat en is een essentiële parameter bij het begrijpen van het gedrag van halfgeleiders.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Diffusieconstante voor PNP - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.
Gatenevenwichtsconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenevenwichtsconcentratie is een karakteristieke eigenschap van het materiaal en wordt bepaald door intrinsieke factoren zoals de bandgap-energie en temperatuur.
Basisbreedte - (Gemeten in Meter) - De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Diffusieconstante voor PNP: 100 Vierkante centimeter per seconde --> 0.01 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Gatenevenwichtsconcentratie: 70 1 per kubieke centimeter --> 70000000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Basisbreedte: 8 Centimeter --> 0.08 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Evalueren ... ...

J_p = 43750

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

43750 Ampère per vierkante meter -->4.375 Ampère per vierkante centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.375 Ampère per vierkante centimeter <-- Gatenstroomdichtheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Gat met huidige dichtheid

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Gat met huidige dichtheid Formule

Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!