Courant de drain dans la ligne de charge Calculatrice

✖La tension d'alimentation est le niveau de tension fourni à un appareil électronique, et c'est un paramètre critique qui affecte les performances et la fiabilité de l'appareil.ⓘ Tension d'alimentation [V_dd]			+10% -10%
✖La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.ⓘ Tension de source de drain [V_ds]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de drain dans la ligne de charge [i_d]

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Formule

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Courant de drain dans la ligne de charge

Formule

`"i"_{"d"} = ("V"_{"dd"}-"V"_{"ds"})/"R"_{"L"}`

Exemple

`"0.071429mA"=("8.45V"-"8.43V")/"0.28kΩ"`

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Courant de drain dans la ligne de charge Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = (Tension d'alimentation-Tension de source de drain)/Résistance à la charge
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation est le niveau de tension fourni à un appareil électronique, et c'est un paramètre critique qui affecte les performances et la fiabilité de l'appareil.
Tension de source de drain - (Mesuré en Volt) - La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension d'alimentation: 8.45 Volt --> 8.45 Volt Aucune conversion requise
Tension de source de drain: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Aucune conversion requise
Résistance à la charge: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = (V_dd-V_ds)/R_L --> (8.45-8.43)/280

Évaluer ... ...

i_d = 7.14285714285699E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.14285714285699E-05 Ampère -->0.0714285714285699 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0714285714285699 ≈ 0.071429 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.005 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 12 Actuel Calculatrices

Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-(Signal d'entrée différentiel)^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-Signal d'entrée différentiel^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Courant de saturation de drain du MOSFET

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2

Courant de vidange instantané

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale+Tension critique)^2

Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de vidange = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2)

Courant de drain dans la ligne de charge

Aller Courant de vidange = (Tension d'alimentation-Tension de source de drain)/Résistance à la charge

Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*((Tension critique-Tension totale)^2)

Courant dans la réjection en mode commun du MOSFET

Aller Courant total = Signal incrémental/((1/Transconductance)+(2*Résistance de sortie))

Courant de court-circuit du MOSFET

Aller Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source

Courant de drain dans la ligne de charge Formule

Courant de vidange = (Tension d'alimentation-Tension de source de drain)/Résistance à la charge
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L

Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec V

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