Strom in Lastleitung ableiten Taschenrechner

✖Die Versorgungsspannung ist der Spannungspegel, mit dem ein elektronisches Gerät versorgt wird, und es ist ein kritischer Parameter, der die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts beeinflusst.ⓘ Versorgungsspannung [V_dd]			+10% -10%
✖Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und speziell in Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET.ⓘ Drain-Source-Spannung [V_ds]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Strom in Lastleitung ableiten [i_d]

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Formel

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Strom in Lastleitung ableiten

Formel

`"i"_{"d"} = ("V"_{"dd"}-"V"_{"ds"})/"R"_{"L"}`

Beispiel

`"0.071429mA"=("8.45V"-"8.43V")/"0.28kΩ"`

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Strom in Lastleitung ableiten Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = (Versorgungsspannung-Drain-Source-Spannung)/Lastwiderstand
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist der Spannungspegel, mit dem ein elektronisches Gerät versorgt wird, und es ist ein kritischer Parameter, der die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts beeinflusst.
Drain-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und speziell in Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Versorgungsspannung: 8.45 Volt --> 8.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Source-Spannung: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Lastwiderstand: 0.28 Kiloohm --> 280 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_d = (V_dd-V_ds)/R_L --> (8.45-8.43)/280

Auswerten ... ...

i_d = 7.14285714285699E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.14285714285699E-05 Ampere -->0.0714285714285699 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0714285714285699 ≈ 0.071429 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-Differenzielles Eingangssignal^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Momentaner Abflussstrom

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2

Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Drain-Sättigungsstrom des MOSFET

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Kanalbreite/Kanallänge*(Effektive Spannung)^2

Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Stromverbrauch = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2)

Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*((Kritische Spannung-Gesamtspannung)^2)

Strom in Lastleitung ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Versorgungsspannung-Drain-Source-Spannung)/Lastwiderstand

Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET

Gehen Gesamtstrom = Inkrementelles Signal/((1/Steilheit)+(2*Ausgangswiderstand))

Kurzschlussstrom des MOSFET

Gehen Ausgangsstrom = Steilheit*Gate-Source-Spannung

Strom in Lastleitung ableiten Formel

Stromverbrauch = (Versorgungsspannung-Drain-Source-Spannung)/Lastwiderstand
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit V.

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