Elektronendiffusionslänge Taschenrechner

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✖Die Elektronendiffusionskonstante bezieht sich auf eine Materialeigenschaft, die die Geschwindigkeit beschreibt, mit der Elektronen als Reaktion auf einen Konzentrationsgradienten durch das Material diffundieren.ⓘ Elektronendiffusionskonstante [D_n]			+10% -10%
✖Die Minoritätsträgerlebensdauer wird verwendet, um die Elektronendiffusionslänge zu bestimmen.ⓘ Minority Carrier Lifetime [τ_n]			+10% -10%

✖Die Elektronendiffusionslänge hängt durch die Diffusionsfähigkeit mit der Ladungsträgerlebensdauer zusammen.ⓘ Elektronendiffusionslänge [L_n]

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Formel

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Elektronendiffusionslänge

Formel

`"L"_{"n"} = sqrt("D"_{"n"}*"τ"_{"n"})`

Beispiel

`"44.99123cm"=sqrt("44982.46cm²/s"*"45000μs")`

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Elektronendiffusionslänge Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Elektronendiffusionslänge - (Gemessen in Meter) - Die Elektronendiffusionslänge hängt durch die Diffusionsfähigkeit mit der Ladungsträgerlebensdauer zusammen.
Elektronendiffusionskonstante - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Die Elektronendiffusionskonstante bezieht sich auf eine Materialeigenschaft, die die Geschwindigkeit beschreibt, mit der Elektronen als Reaktion auf einen Konzentrationsgradienten durch das Material diffundieren.
Minority Carrier Lifetime - (Gemessen in Zweite) - Die Minoritätsträgerlebensdauer wird verwendet, um die Elektronendiffusionslänge zu bestimmen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Elektronendiffusionskonstante: 44982.46 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 4.498246 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Minority Carrier Lifetime: 45000 Mikrosekunde --> 0.045 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

L_n = sqrt(D_n*τ_n) --> sqrt(4.498246*0.045)

Auswerten ... ...

L_n = 0.449912291452456

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.449912291452456 Meter -->44.9912291452456 Zentimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

44.9912291452456 ≈ 44.99123 Zentimeter <-- Elektronendiffusionslänge

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Elektronendiffusionslänge Formel

Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)

Was ist die Elektronendiffusionslänge?

Die Diffusionslänge ist die durchschnittliche Länge, die ein Träger zwischen Erzeugung und Rekombination bewegt. Stark dotierte Halbleitermaterialien weisen größere Rekombinationsraten und folglich kürzere Diffusionslängen auf. Höhere Diffusionslängen weisen auf Materialien mit längeren Lebensdauern hin und sind daher eine wichtige Eigenschaft, die bei Halbleitermaterialien zu berücksichtigen ist.

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