Comprimento de difusão de elétrons Calculadora

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Características do semicondutor

Características do Diodo

Características do portador de carga

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖Constante de difusão de elétrons refere-se a uma propriedade do material que descreve a taxa na qual os elétrons se difundem através do material em resposta a um gradiente de concentração.ⓘ Constante de difusão de elétrons [D_n]			+10% -10%
✖O tempo de vida do portador minoritário é usado para determinar o comprimento da difusão de elétrons.ⓘ Vida útil do portador minoritário [τ_n]			+10% -10%

✖O comprimento de difusão do elétron está relacionado ao tempo de vida do portador pela difusividade.ⓘ Comprimento de difusão de elétrons [L_n]

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Fórmula

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Comprimento de difusão de elétrons

Fórmula

`"L"_{"n"} = sqrt("D"_{"n"}*"τ"_{"n"})`

Exemplo

`"44.99123cm"=sqrt("44982.46cm²/s"*"45000μs")`

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Comprimento de difusão de elétrons Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Comprimento da difusão de elétrons - (Medido em Metro) - O comprimento de difusão do elétron está relacionado ao tempo de vida do portador pela difusividade.
Constante de difusão de elétrons - (Medido em Metro quadrado por segundo) - Constante de difusão de elétrons refere-se a uma propriedade do material que descreve a taxa na qual os elétrons se difundem através do material em resposta a um gradiente de concentração.
Vida útil do portador minoritário - (Medido em Segundo) - O tempo de vida do portador minoritário é usado para determinar o comprimento da difusão de elétrons.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Constante de difusão de elétrons: 44982.46 Centímetro quadrado por segundo --> 4.498246 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão aqui)
Vida útil do portador minoritário: 45000 Microssegundo --> 0.045 Segundo (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_n = sqrt(D_n*τ_n) --> sqrt(4.498246*0.045)

Avaliando ... ...

L_n = 0.449912291452456

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.449912291452456 Metro -->44.9912291452456 Centímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

44.9912291452456 ≈ 44.99123 Centímetro <-- Comprimento da difusão de elétrons

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

< 13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores

Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Função de Distribuição de Fermi Dirac

Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão de elétrons

Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Gap de banda de energia

Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)

Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Densidade de corrente de deriva

Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica

Mobilidade de Portadores de Carga

Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico

Tensão de saturação usando tensão limite

Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar

Campo elétrico devido à tensão Hall

Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Comprimento de difusão de elétrons Fórmula

Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)

Qual é o comprimento de difusão de elétrons?

O comprimento de difusão é o comprimento médio que um portador se move entre a geração e a recombinação. Materiais semicondutores fortemente dopados apresentam taxas de recombinação maiores e, conseqüentemente, comprimentos de difusão mais curtos. Comprimentos de difusão mais altos são indicativos de materiais com vida útil mais longa e são, portanto, uma qualidade importante a ser considerada com materiais semicondutores.

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