Comprimento de difusão de elétrons Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Ln = sqrt(Dn*τn)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Comprimento da difusão de elétrons - (Medido em Metro) - O comprimento de difusão do elétron está relacionado ao tempo de vida do portador pela difusividade.
Constante de difusão de elétrons - (Medido em Metro quadrado por segundo) - Constante de difusão de elétrons refere-se a uma propriedade do material que descreve a taxa na qual os elétrons se difundem através do material em resposta a um gradiente de concentração.
Vida útil do portador minoritário - (Medido em Segundo) - O tempo de vida do portador minoritário é usado para determinar o comprimento da difusão de elétrons.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Constante de difusão de elétrons: 44982.46 Centímetro quadrado por segundo --> 4.498246 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
Vida útil do portador minoritário: 45000 Microssegundo --> 0.045 Segundo (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ln = sqrt(Dnn) --> sqrt(4.498246*0.045)
Avaliando ... ...
Ln = 0.449912291452456
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.449912291452456 Metro -->44.9912291452456 Centímetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
44.9912291452456 44.99123 Centímetro <-- Comprimento da difusão de elétrons
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Akshada Kulkarni LinkedIn Logo
Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana
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Verificado por Equipe Softusvista LinkedIn Logo
Escritório Softusvista (Pune), Índia
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Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores
​ LaTeX ​ Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
Comprimento de difusão de elétrons
​ LaTeX ​ Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos
​ LaTeX ​ Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
Mobilidade de Portadores de Carga
​ LaTeX ​ Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do campo elétrico

Comprimento de difusão de elétrons Fórmula

​LaTeX ​Vai
Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Ln = sqrt(Dn*τn)

Qual é o comprimento de difusão de elétrons?

O comprimento de difusão é o comprimento médio que um portador se move entre a geração e a recombinação. Materiais semicondutores fortemente dopados apresentam taxas de recombinação maiores e, conseqüentemente, comprimentos de difusão mais curtos. Comprimentos de difusão mais altos são indicativos de materiais com vida útil mais longa e são, portanto, uma qualidade importante a ser considerada com materiais semicondutores.

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