Długość dyfuzji elektronów Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Ln = sqrt(Dn*τn)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 3 Zmienne
Używane funkcje
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Długość dyfuzji elektronów - (Mierzone w Metr) - Długość dyfuzji elektronów jest związana z czasem życia nośnika przez dyfuzyjność.
Stała dyfuzji elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Stała dyfuzji elektronów odnosi się do właściwości materiału, która opisuje szybkość, z jaką elektrony dyfundują przez materiał w odpowiedzi na gradient stężenia.
Dożywotni przewoźnik mniejszościowy - (Mierzone w Drugi) - Minority Carrier Lifetime służy do określania długości dyfuzji elektronów.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Stała dyfuzji elektronów: 44982.46 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 4.498246 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Dożywotni przewoźnik mniejszościowy: 45000 Mikrosekunda --> 0.045 Drugi (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Ln = sqrt(Dnn) --> sqrt(4.498246*0.045)
Ocenianie ... ...
Ln = 0.449912291452456
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.449912291452456 Metr -->44.9912291452456 Centymetr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
44.9912291452456 44.99123 Centymetr <-- Długość dyfuzji elektronów
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Akshada Kulkarni
Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), Indie
Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach
​ Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca
​ Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))
Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P
​ Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N
​ Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
Długość dyfuzji elektronów
​ Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Pasmo energetyczne
​ Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)
Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p
​ Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Stężenie większości nośników w półprzewodnikach
​ Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników
​ Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
Mobilność nośników ładunku
​ Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego
Gęstość prądu dryfu
​ Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego
Pole elektryczne wywołane napięciem Halla
​ Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika
Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego
​ Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Długość dyfuzji elektronów Formułę

Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Ln = sqrt(Dn*τn)

Jaka jest długość dyfuzji elektronów?

Długość dyfuzji to średnia długość, o jaką nośnik porusza się między wytworzeniem a rekombinacją. Materiały półprzewodnikowe, które są silnie domieszkowane, mają większe szybkości rekombinacji, a tym samym mają krótsze długości dyfuzji. Większe długości dyfuzji wskazują na materiały o dłuższej żywotności i dlatego są ważną cechą do rozważenia w przypadku materiałów półprzewodnikowych.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!