Temps moyen passé par trou Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖Génération optique Évaluez le nombre d'électrons générés à chaque point de l'appareil en raison de l'absorption des photons.ⓘ Taux de génération optique [g_op]			+10% -10%
✖Majority Carrier Decay fait référence à la vitesse à laquelle la tension décline est déterminée par la quantité de porteurs minoritaires qui se recombinent par unité de temps.ⓘ Décroissance des porteurs majoritaires [τ_p]			+10% -10%

✖Le temps moyen passé par trou est défini comme le temps total pris par le trou pour se recombiner avec le porteur de charge.ⓘ Temps moyen passé par trou [δ_p]

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Formule

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Temps moyen passé par trou

Formule

`"δ"_{"p"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"p"}`

Exemple

`"8120s"="2.9e19"*"2.8e-16"`

Calculatrice

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Temps moyen passé par trou Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires
δ_p = g_op*τ_p
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Temps moyen passé par trou - (Mesuré en Deuxième) - Le temps moyen passé par trou est défini comme le temps total pris par le trou pour se recombiner avec le porteur de charge.
Taux de génération optique - Génération optique Évaluez le nombre d'électrons générés à chaque point de l'appareil en raison de l'absorption des photons.
Décroissance des porteurs majoritaires - Majority Carrier Decay fait référence à la vitesse à laquelle la tension décline est déterminée par la quantité de porteurs minoritaires qui se recombinent par unité de temps.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Taux de génération optique: 2.9E+19 --> Aucune conversion requise
Décroissance des porteurs majoritaires: 2.8E-16 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Évaluer ... ...

δ_p = 8120

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

8120 Deuxième --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

8120 Deuxième <-- Temps moyen passé par trou

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Dispositifs à semi-conducteurs » Électrons » Temps moyen passé par trou

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 18 Électrons Calculatrices

Fonction d'onde dépendante de Phi

Aller Φ Fonction d'onde dépendante = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Nombre quantique d'onde*Angle de fonction d'onde))

Ordre de diffraction

Aller Ordre de diffraction = (2*Espace de greffe*sin(Angle d'incidence))/Longueur d'onde du rayon

Composant de trou

Aller Composant de trou = Composant électronique*Efficacité d'injection de l'émetteur/(1-Efficacité d'injection de l'émetteur)

État quantique

Aller L'énergie à l'état quantique = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masse de particules*Longueur potentielle du puits^2)

Rayon de la nième orbite de l'électron

Aller Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)

Densité du flux électronique

Aller Densité de flux d'électrons = (Électron de libre parcours moyen/(2*Temps))*Différence de concentration d'électrons

Chemin libre moyen

Aller Électron de libre parcours moyen = (Densité de flux d'électrons/(Différence de concentration d'électrons))*2*Temps

Conductance CA

Aller Conductance CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Température))*Courant électrique

Composant électronique

Aller Composant électronique = ((Composant de trou)/Efficacité d'injection de l'émetteur)-Composant de trou

Différence de concentration d'électrons

Aller Différence de concentration d'électrons = Concentration d'électrons 1-Concentration d'électrons 2

Densité totale du courant porteur

Aller Densité totale de courant porteur = Densité de courant électronique+Densité de courant de trou

Densité de courant électronique

Aller Densité de courant électronique = Densité totale de courant porteur-Densité de courant de trou

Densité de courant de trou

Aller Densité de courant de trou = Densité totale de courant porteur-Densité de courant électronique

Temps moyen passé par trou

Aller Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires

Multiplication d'électrons

Aller Multiplication d'électrons = Nombre d'électrons hors région/Nombre d'électrons dans la région

Électron dans la région

Aller Nombre d'électrons dans la région = Nombre d'électrons hors région/Multiplication d'électrons

Électron hors région

Aller Nombre d'électrons hors région = Multiplication d'électrons*Nombre d'électrons dans la région

Amplitude de la fonction d'onde

Aller Amplitude de la fonction d'onde = sqrt(2/Longueur potentielle du puits)

< 15 Porteurs de semi-conducteurs Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))

Durée de vie du transporteur

Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))

État quantique

Aller L'énergie à l'état quantique = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masse de particules*Longueur potentielle du puits^2)

Rayon de la nième orbite de l'électron

Aller Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)

Densité du flux électronique

Aller Densité de flux d'électrons = (Électron de libre parcours moyen/(2*Temps))*Différence de concentration d'électrons

Fonction Fermi

Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction

État de densité efficace dans la bande de Valence

Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)

Coefficient de distribution

Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide

Concentration excessive de porteurs

Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison

Densité de courant électronique

Aller Densité de courant électronique = Densité totale de courant porteur-Densité de courant de trou

Temps moyen passé par trou

Aller Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires

Densité de courant de trou

Aller Densité de courant de trou = Densité totale de courant porteur-Densité de courant électronique

Multiplication d'électrons

Aller Multiplication d'électrons = Nombre d'électrons hors région/Nombre d'électrons dans la région

Énergie de bande de conduction

Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence

Énergie photoélectronique

Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Temps moyen passé par trou Formule

Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires
δ_p = g_op*τ_p

Qu'est-ce que la densité électronique?

La densité électronique ou densité électronique est la mesure de la probabilité qu'un électron soit présent à un élément infinitésimal de l'espace entourant un point donné.

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