Średni czas spędzony przez dziurę Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Elektrony

Nośniki półprzewodnikowe

Zespół energetyczny

Złącze SSD

✖Generacja optyczna Oceń liczbę elektronów generowanych w każdym punkcie urządzenia w wyniku absorpcji fotonów.ⓘ Szybkość generacji optycznej [g_op]			+10% -10%
✖Zanik większości nośników odnosi się do szybkości, z jaką spada napięcie, jest określona przez liczbę nośników mniejszości, które rekombinują w jednostce czasu.ⓘ Upadek przewoźnika większościowego [τ_p]			+10% -10%

✖Średni czas spędzony przez dziurę definiuje się jako całkowity czas potrzebny dziurze na rekombinację z nośnikiem ładunku.ⓘ Średni czas spędzony przez dziurę [δ_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Średni czas spędzony przez dziurę

Formuła

`"δ"_{"p"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"p"}`

Przykład

`"8120s"="2.9e19"*"2.8e-16"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektrony Formuły PDF PDF Image

Średni czas spędzony przez dziurę Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego
δ_p = g_op*τ_p
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Średni czas spędzony przez dziurę - (Mierzone w Drugi) - Średni czas spędzony przez dziurę definiuje się jako całkowity czas potrzebny dziurze na rekombinację z nośnikiem ładunku.
Szybkość generacji optycznej - Generacja optyczna Oceń liczbę elektronów generowanych w każdym punkcie urządzenia w wyniku absorpcji fotonów.
Upadek przewoźnika większościowego - Zanik większości nośników odnosi się do szybkości, z jaką spada napięcie, jest określona przez liczbę nośników mniejszości, które rekombinują w jednostce czasu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szybkość generacji optycznej: 2.9E+19 --> Nie jest wymagana konwersja
Upadek przewoźnika większościowego: 2.8E-16 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Ocenianie ... ...

δ_p = 8120

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

8120 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

8120 Drugi <-- Średni czas spędzony przez dziurę

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Elektrony » Średni czas spędzony przez dziurę

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 18 Elektrony Kalkulatory

Zależna od Phi funkcja fali

Iść Φ Zależna funkcja falowa = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Falowa liczba kwantowa*Kąt funkcji falowej))

Porządek dyfrakcji

Iść Kolejność dyfrakcji = (2*Przestrzeń szczepienia*sin(Kąt padania))/Długość fali promienia

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Średnia wolna ścieżka

Iść Średni elektron na swobodnej ścieżce = (Gęstość strumienia elektronów/(Różnica w koncentracji elektronów))*2*Czas

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Przewodność AC

Iść Przewodność AC = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Prąd elektryczny

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Komponent otworu

Iść Komponent otworu = Składnik elektronowy*Wydajność wtrysku emitera/(1-Wydajność wtrysku emitera)

Składnik elektronowy

Iść Składnik elektronowy = ((Komponent otworu)/Wydajność wtrysku emitera)-Komponent otworu

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Różnica w koncentracji elektronów

Iść Różnica w koncentracji elektronów = Koncentracja elektronów 1-Koncentracja elektronów 2

Elektron poza regionem

Iść Liczba elektronów poza regionem = Mnożenie elektronów*Liczba elektronów w regionie

Elektron w regionie

Iść Liczba elektronów w regionie = Liczba elektronów poza regionem/Mnożenie elektronów

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Całkowita gęstość prądu nośnego

Iść Całkowita gęstość prądu nośnej = Gęstość prądu elektronowego+Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Amplituda funkcji falowej

Iść Amplituda funkcji falowej = sqrt(2/Potencjalna długość studni)

< 15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Średni czas spędzony przez dziurę Formułę

Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego
δ_p = g_op*τ_p

Co to jest gęstość elektronów?

Gęstość elektronów lub gęstość elektronowa jest miarą prawdopodobieństwa obecności elektronu w nieskończenie małym elemencie przestrzeni otaczającym dany punkt.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!