Tempo médio gasto por buraco Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖Geração Óptica Classifique o número de elétrons gerados em cada ponto do dispositivo devido à absorção de fótons.ⓘ Taxa de geração óptica [g_op]			+10% -10%
✖O Decaimento da Portadora Maioritária refere-se à taxa na qual a voltagem decai é determinada pela quantidade de portadoras minoritárias que se recombinam por unidade de tempo.ⓘ Decaimento do portador majoritário [τ_p]			+10% -10%

✖O tempo médio gasto por buraco é definido como o tempo total gasto pelo buraco para se recombinar com o portador de carga.ⓘ Tempo médio gasto por buraco [δ_p]

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Fórmula

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Tempo médio gasto por buraco

Fórmula

`"δ"_{"p"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"p"}`

Exemplo

`"8120s"="2.9e19"*"2.8e-16"`

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Tempo médio gasto por buraco Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário
δ_p = g_op*τ_p
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tempo médio gasto por buraco - (Medido em Segundo) - O tempo médio gasto por buraco é definido como o tempo total gasto pelo buraco para se recombinar com o portador de carga.
Taxa de geração óptica - Geração Óptica Classifique o número de elétrons gerados em cada ponto do dispositivo devido à absorção de fótons.
Decaimento do portador majoritário - O Decaimento da Portadora Maioritária refere-se à taxa na qual a voltagem decai é determinada pela quantidade de portadoras minoritárias que se recombinam por unidade de tempo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Taxa de geração óptica: 2.9E+19 --> Nenhuma conversão necessária
Decaimento do portador majoritário: 2.8E-16 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Avaliando ... ...

δ_p = 8120

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

8120 Segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

8120 Segundo <-- Tempo médio gasto por buraco

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 18 Elétrons Calculadoras

Função de onda dependente de Phi

Vai Φ Função de Onda Dependente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Número Quântico da Onda*Ângulo da Função de Onda))

Ordem de Difração

Vai Ordem de difração = (2*Espaço de enxerto*sin(Ângulo de incidência))/Comprimento de onda do raio

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Significa caminho livre

Vai Elétron de caminho livre médio = (Densidade do fluxo de elétrons/(Diferença na concentração de elétrons))*2*Tempo

Componente de furo

Vai Componente do furo = Componente Eletrônico*Eficiência de Injeção do Emissor/(1-Eficiência de Injeção do Emissor)

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Condutância CA

Vai Condutância CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elétrica

Componente Eletrônico

Vai Componente Eletrônico = ((Componente do furo)/Eficiência de Injeção do Emissor)-Componente do furo

Densidade de corrente total da portadora

Vai Densidade total de corrente portadora = Densidade de Corrente Eletrônica+Densidade atual do furo

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Diferença na concentração de elétrons

Vai Diferença na concentração de elétrons = Concentração de elétrons 1-Concentração de elétrons 2

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Elétron fora da região

Vai Número de elétrons fora da região = Multiplicação de elétrons*Número de elétrons na região

Elétron na região

Vai Número de elétrons na região = Número de elétrons fora da região/Multiplicação de elétrons

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Amplitude da Função de Onda

Vai Amplitude da função de onda = sqrt(2/Comprimento potencial do poço)

< 15 Portadores de semicondutores Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Tempo médio gasto por buraco Fórmula

Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário
δ_p = g_op*τ_p

O que é densidade de elétrons?

A densidade do elétron ou densidade eletrônica é a medida da probabilidade de um elétron estar presente em um elemento infinitesimal do espaço ao redor de um determinado ponto.

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