Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay
δp = gop*τp
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch - (Gemessen in Zweite) - Die mittlere Zeit, die ein Loch benötigt, ist definiert als die Gesamtzeit, die das Loch benötigt, um sich mit dem Ladungsträger zu rekombinieren.
Optische Erzeugungsrate - Optische Erzeugung: Bewerten Sie die Anzahl der Elektronen, die an jedem Punkt im Gerät aufgrund der Absorption von Photonen erzeugt werden.
Majority Carrier Decay - Majority Carrier Decay bezieht sich auf die Rate, mit der die Spannung abfällt, bestimmt durch die Menge an Minoritätsträgern, die sich pro Zeiteinheit rekombinieren.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Optische Erzeugungsrate: 2.9E+19 --> Keine Konvertierung erforderlich
Majority Carrier Decay: 2.8E-16 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
δp = gopp --> 2.9E+19*2.8E-16
Auswerten ... ...
δp = 8120
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
8120 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
8120 Zweite <-- Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

18 Elektronen Taschenrechner

Phi-abhängige Wellenfunktion
​ Gehen Φ abhängige Wellenfunktion = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Wellenquantenzahl*Wellenfunktionswinkel))
Ordnung der Beugung
​ Gehen Ordnung der Beugung = (2*Veredelungsraum*sin(Einfallswinkel))/Wellenlänge von Ray
Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons
​ Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)
Mittlerer freier Pfad
​ Gehen Mittleres freies Wegelektron = (Elektronenflussdichte/(Unterschied in der Elektronenkonzentration))*2*Zeit
Elektronenflussdichte
​ Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration
AC-Leitfähigkeit
​ Gehen AC-Leitfähigkeit = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatur))*Elektrischer Strom
Quantenzustand
​ Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)
Lochkomponente
​ Gehen Lochkomponente = Elektronenkomponente*Emitter-Injektionseffizienz/(1-Emitter-Injektionseffizienz)
Elektronenkomponente
​ Gehen Elektronenkomponente = ((Lochkomponente)/Emitter-Injektionseffizienz)-Lochkomponente
Elektron außerhalb der Region
​ Gehen Anzahl der Elektronen außerhalb der Region = Elektronenmultiplikation*Anzahl der Elektronen in der Region
Elektronenvervielfachung
​ Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region
Elektron in der Region
​ Gehen Anzahl der Elektronen in der Region = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Elektronenmultiplikation
Unterschied in der Elektronenkonzentration
​ Gehen Unterschied in der Elektronenkonzentration = Elektronenkonzentration 1-Elektronenkonzentration 2
Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
​ Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay
Gesamtträgerstromdichte
​ Gehen Gesamtträgerstromdichte = Elektronenstromdichte+Lochstromdichte
Elektronenstromdichte
​ Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte
Lochstromdichte
​ Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte
Amplitude der Wellenfunktion
​ Gehen Amplitude der Wellenfunktion = sqrt(2/Mögliche Bohrlochlänge)

15 Halbleiterträger Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration
​ Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))
Trägerlebensdauer
​ Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))
Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons
​ Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)
Elektronenflussdichte
​ Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration
Quantenzustand
​ Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)
Verteilungskoeffizient
​ Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit
Elektronenvervielfachung
​ Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region
Fermi-Funktion
​ Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Zustand der effektiven Dichte im Valenzband
​ Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)
Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
​ Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay
Übermäßige Trägerkonzentration
​ Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer
Photoelektronenenergie
​ Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts
Elektronenstromdichte
​ Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte
Lochstromdichte
​ Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte
Leitungsbandenergie
​ Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch Formel

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay
δp = gop*τp

Was ist Elektronendichte?

Die Elektronendichte oder elektronische Dichte ist das Maß für die Wahrscheinlichkeit, dass ein Elektron an einem infinitesimalen Raumelement vorhanden ist, das einen bestimmten Punkt umgibt.

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