Tempo medio speso per buca calcolatrice

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✖Velocità di generazione ottica il numero di elettroni generati in ogni punto del dispositivo a causa dell'assorbimento di fotoni.ⓘ Velocità di generazione ottica [g_op]			+10% -10%
✖Majority Carrier Decay si riferisce alla velocità con cui la tensione decade è determinata dalla quantità di portatori minoritari che si ricombinano per unità di tempo.ⓘ Decadimento del vettore maggioritario [τ_p]			+10% -10%

✖Il tempo medio speso per buca è definito come il tempo totale impiegato dalla buca per ricombinarsi con il portatore di carica.ⓘ Tempo medio speso per buca [δ_p]

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Formula

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Tempo medio speso per buca

Formula

`"δ"_{"p"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"p"}`

Esempio

`"8120s"="2.9e19"*"2.8e-16"`

Calcolatrice

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Tempo medio speso per buca Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario
δ_p = g_op*τ_p
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tempo medio speso per buca - (Misurato in Secondo) - Il tempo medio speso per buca è definito come il tempo totale impiegato dalla buca per ricombinarsi con il portatore di carica.
Velocità di generazione ottica - Velocità di generazione ottica il numero di elettroni generati in ogni punto del dispositivo a causa dell'assorbimento di fotoni.
Decadimento del vettore maggioritario - Majority Carrier Decay si riferisce alla velocità con cui la tensione decade è determinata dalla quantità di portatori minoritari che si ricombinano per unità di tempo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Velocità di generazione ottica: 2.9E+19 --> Nessuna conversione richiesta
Decadimento del vettore maggioritario: 2.8E-16 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Valutare ... ...

δ_p = 8120

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8120 Secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

8120 Secondo <-- Tempo medio speso per buca

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 18 Elettroni Calcolatrici

Funzione d'onda Phi-dipendente

Partire Φ Funzione d'onda dipendente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Numero quantico dell'onda*Angolo della funzione d'onda))

Ordine di diffrazione

Partire Ordine di diffrazione = (2*Spazio di innesto*sin(Angolo incidente))/Lunghezza d'onda del raggio

Componente foro

Partire Componente foro = Componente elettronico*Efficienza di iniezione dell'emettitore/(1-Efficienza di iniezione dell'emettitore)

Densità del flusso di elettroni

Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni

Mean Free Path

Partire Elettrone a cammino libero medio = (Densità del flusso di elettroni/(Differenza nella concentrazione di elettroni))*2*Tempo

Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone

Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)

Stato quantico

Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Conduttanza CA

Partire Conduttanza CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elettrica

Componente elettronico

Partire Componente elettronico = ((Componente foro)/Efficienza di iniezione dell'emettitore)-Componente foro

Differenza nella concentrazione di elettroni

Partire Differenza nella concentrazione di elettroni = concentrazione di elettroni 1-concentrazione di elettroni 2

Densità di corrente della portante totale

Partire Densità di corrente portante totale = Densità di corrente elettronica+Densità di corrente del foro

Densità della corrente elettronica

Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro

Densità di corrente del foro

Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica

Moltiplicazione di elettroni

Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione

Tempo medio speso per buca

Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario

Elettrone fuori regione

Partire Numero di elettroni fuori regione = Moltiplicazione elettronica*Numero di elettroni nella regione

Elettrone in regione

Partire Numero di elettroni nella regione = Numero di elettroni fuori regione/Moltiplicazione elettronica

Ampiezza della funzione d'onda

Partire Ampiezza della funzione d'onda = sqrt(2/Lunghezza potenziale del pozzo)

< 15 Porta semiconduttori Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Densità del flusso di elettroni

Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni

Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone

Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)

Stato quantico

Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Densità della corrente elettronica

Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro

Densità di corrente del foro

Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica

Moltiplicazione di elettroni

Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione

Tempo medio speso per buca

Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Tempo medio speso per buca Formula

Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario
δ_p = g_op*τ_p

Cos'è la densità elettronica?

La densità elettronica o densità elettronica è la misura della probabilità che un elettrone sia presente in un elemento infinitesimale di spazio che circonda un dato punto.

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