Gemiddelde tijdsbesteding per hole Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Optische generatiesnelheid het aantal elektronen dat op elk punt in het apparaat wordt gegenereerd als gevolg van de absorptie van fotonen.ⓘ Optische generatiesnelheid [g_op]			+10% -10%
✖Majority Carrier Decay verwijst naar de snelheid waarmee de spanning afneemt en wordt bepaald door de hoeveelheid minderheidsdragers die per tijdseenheid recombineren.ⓘ Meerderheid Carrier Decay [τ_p]			+10% -10%

✖De gemiddelde tijdsbesteding per gat wordt gedefinieerd als de totale tijd die het gat nodig heeft om te recombineren met de ladingsdrager.ⓘ Gemiddelde tijdsbesteding per hole [δ_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Formule

`"δ"_{"p"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"p"}`

Voorbeeld

`"8120s"="2.9e19"*"2.8e-16"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden elektronen Formules Pdf PDF Image

Gemiddelde tijdsbesteding per hole Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay
δ_p = g_op*τ_p
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gemiddelde tijdsbesteding per hole - (Gemeten in Seconde) - De gemiddelde tijdsbesteding per gat wordt gedefinieerd als de totale tijd die het gat nodig heeft om te recombineren met de ladingsdrager.
Optische generatiesnelheid - Optische generatiesnelheid het aantal elektronen dat op elk punt in het apparaat wordt gegenereerd als gevolg van de absorptie van fotonen.
Meerderheid Carrier Decay - Majority Carrier Decay verwijst naar de snelheid waarmee de spanning afneemt en wordt bepaald door de hoeveelheid minderheidsdragers die per tijdseenheid recombineren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Optische generatiesnelheid: 2.9E+19 --> Geen conversie vereist
Meerderheid Carrier Decay: 2.8E-16 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Evalueren ... ...

δ_p = 8120

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8120 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

8120 Seconde <-- Gemiddelde tijdsbesteding per hole

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » elektronen » Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 18 elektronen Rekenmachines

Phi-afhankelijke golffunctie

Gaan Φ Afhankelijke golffunctie = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Golfkwantumnummer*Golffunctie Hoek))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Hole Component

Gaan Gatencomponent = Elektronencomponent*Efficiëntie van emitterinjectie/(1-Efficiëntie van emitterinjectie)

Volgorde van diffractie

Gaan Orde van diffractie = (2*Enten Ruimte*sin(Invalshoek))/Golflengte van Ray

AC-geleiding

Gaan AC-geleiding = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatuur))*Elektrische stroom

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Gemiddeld vrij pad

Gaan Gemiddeld vrij pad-elektron = (Elektronenfluxdichtheid/(Verschil in elektronenconcentratie))*2*Tijd

Elektronencomponent

Gaan Elektronencomponent = ((Gatencomponent)/Efficiëntie van emitterinjectie)-Gatencomponent

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Elektron buiten regio

Gaan Aantal elektronen buiten regio = Vermenigvuldiging van elektronen*Aantal elektronen in regio

Elektron in regio

Gaan Aantal elektronen in regio = Aantal elektronen buiten regio/Vermenigvuldiging van elektronen

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Verschil in elektronenconcentratie

Gaan Verschil in elektronenconcentratie = Elektronenconcentratie 1-Elektronenconcentratie 2

Totale stroomdichtheid van de draaggolf

Gaan Totale draaggolfstroomdichtheid = Elektronenstroomdichtheid+Gat huidige dichtheid

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Amplitude golffunctie

Gaan Amplitude van golffunctie = sqrt(2/Potentiële putlengte)

< 15 Halfgeleider dragers Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Gemiddelde tijdsbesteding per hole Formule

Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay
δ_p = g_op*τ_p

Wat is elektronendichtheid?

Elektronendichtheid of elektronische dichtheid is de maatstaf voor de waarschijnlijkheid dat een elektron aanwezig is op een oneindig klein ruimtelijk element dat een bepaald punt omringt.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!