Frequenza di taglio MESFET calcolatrice

✖La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.ⓘ Transconduttanza del MESFET [G_m]			+10% -10%
✖La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità della sorgente di gate [C_gs]			+10% -10%

✖La frequenza di taglio MESFET rappresenta la frequenza alla quale il guadagno di corrente (o transconduttanza) del transistor inizia a diminuire in modo significativo.ⓘ Frequenza di taglio MESFET [f_co]

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Formula

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Frequenza di taglio MESFET

Formula

`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`

Esempio

`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`

Calcolatrice

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Frequenza di taglio MESFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Frequenza di taglio MESFET - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio MESFET rappresenta la frequenza alla quale il guadagno di corrente (o transconduttanza) del transistor inizia a diminuire in modo significativo.
Transconduttanza del MESFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza del MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nessuna conversione richiesta
Capacità della sorgente di gate: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_co = G_m/(2*pi*C_gs) --> 0.063072/(2*pi*5.6E-05)

Valutare ... ...

f_co = 179.253938762358

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

179.253938762358 Hertz --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

179.253938762358 ≈ 179.2539 Hertz <-- Frequenza di taglio MESFET

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

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Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici

Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione

Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Ottieni il fattore di degradazione per MESFET

Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Fattore di rumore GaAs MESFET

Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)

Frequenza operativa massima

Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))

Potenza massima consentita

Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2

Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde

Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))

Angolo di transito

Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore

Frequenza di taglio MESFET

Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Frequenza massima di oscillazione

Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Frequenza di taglio MESFET Formula

Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)

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