Frequência de corte MESFET Calculadora

✖A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.ⓘ Transcondutância do MESFET [G_m]			+10% -10%
✖A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância da Fonte da Porta [C_gs]			+10% -10%

✖A frequência de corte MESFET representa a frequência na qual o ganho de corrente do transistor (ou transcondutância) começa a diminuir significativamente.ⓘ Frequência de corte MESFET [f_co]

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Fórmula

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Frequência de corte MESFET

Fórmula

`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`

Exemplo

`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`

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Frequência de corte MESFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Frequência de corte MESFET - (Medido em Hertz) - A frequência de corte MESFET representa a frequência na qual o ganho de corrente do transistor (ou transcondutância) começa a diminuir significativamente.
Transcondutância do MESFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.
Capacitância da Fonte da Porta - (Medido em Farad) - A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância do MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nenhuma conversão necessária
Capacitância da Fonte da Porta: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

f_co = G_m/(2*pi*C_gs) --> 0.063072/(2*pi*5.6E-05)

Avaliando ... ...

f_co = 179.253938762358

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

179.253938762358 Hertz --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

179.253938762358 ≈ 179.2539 Hertz <-- Frequência de corte MESFET

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 10+ Amplificadores transistorizados Calculadoras

Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação

Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganhe fator de degradação para MESFET

Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Fator de Ruído GaAs MESFET

Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)

Frequência máxima de operação

Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))

Potência máxima permitida

Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2

Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada

Transcondutância na região de saturação no MESFET

Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))

Ângulo de Trânsito

Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador

Frequência de corte MESFET

Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)

Frequência Máxima de Oscilação

Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Frequência de corte MESFET Fórmula

Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)

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