गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव कैलकुलेटर

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव को गेट ढांकता हुआ सूत्र के माध्यम से गेट रिसाव की गणना तब की जाती है जब गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच कोई वोल्टेज नहीं होता है, लीकेज करंट को छोड़कर नाली में कोई करंट प्रवाहित नहीं होता है। इसका कारण बहुत अधिक नाली-स्रोत प्रतिबाधा है। Gate Current = (सीएमओएस स्टेटिक पावर/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड करंट+विवाद वर्तमान+जंक्शन करंट) i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) के रूप में परिभाषित किया गया है। गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव की गणना करने के लिए, आपको सीएमओएस स्टेटिक पावर (P_st), बेस कलेक्टर वोल्टेज (V_bc), सबथ्रेशोल्ड करंट (i_st), विवाद वर्तमान (i_con) & जंक्शन करंट (i_j) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको CMOS उपकरणों में बहुत कम स्थैतिक बिजली की खपत के कारण CMOS स्टेटिक पावर को लीकेज करंट के रूप में परिभाषित किया गया है।, ट्रांजिस्टर बायसिंग में बेस कलेक्टर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। यह ट्रांजिस्टर के सक्रिय अवस्था में होने पर उसके आधार और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।, सबथ्रेशोल्ड करंट ऑफ ट्रांजिस्टर के माध्यम से सबथ्रेशोल्ड रिसाव है।, कंटेंट करंट को अनुपातिक सर्किट में होने वाले कंटेंट करंट के रूप में परिभाषित किया गया है। & जंक्शन करंट स्रोत/नाली प्रसार से जंक्शन रिसाव है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।