Calcolatrice da A a Z

Area di diffusione della sorgente calcolatrice

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Terreno di gioco
✖La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.ⓘ Lunghezza della fonte [Ds]
+10%
-10%
✖La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.ⓘ Larghezza di transizione [W]
+10%
-10%
✖L'area di diffusione della sorgente è definita come il movimento netto di qualsiasi cosa da una regione di concentrazione più elevata a una regione di concentrazione inferiore nell'area del gate della sorgente.ⓘ Area di diffusione della sorgente [As]
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Formula
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Area di diffusione della sorgente

Formula
`"A"_{"s"} = "D"_{"s"}*"W"`

Esempio
`"5479.02mm²"="61mm"*"89.82mm"`

Calcolatrice
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Area di diffusione della sorgente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
As = Ds*W
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Area di diffusione della sorgente - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di diffusione della sorgente è definita come il movimento netto di qualsiasi cosa da una regione di concentrazione più elevata a una regione di concentrazione inferiore nell'area del gate della sorgente.
Lunghezza della fonte - (Misurato in metro) - La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.
Larghezza di transizione - (Misurato in metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Lunghezza della fonte: 61 Millimetro --> 0.061 metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza di transizione: 89.82 Millimetro --> 0.08982 metro (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
As = Ds*W --> 0.061*0.08982
Valutare ... ...
As = 0.00547902
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00547902 Metro quadrato -->5479.02 Piazza millimetrica (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
5479.02 Piazza millimetrica <-- Area di diffusione della sorgente
(Calcolo completato in 00.020 secondi)
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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Area di diffusione della sorgente Formula

Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
As = Ds*W

Cosa puoi dire del processo di doping nel CMOS?

Il drogaggio nel CMOS è un processo di introduzione di impurità nel materiale semiconduttore per modificarne le proprietà elettriche. Questo processo può migliorare le prestazioni dei dispositivi CMOS riducendo la resistenza, aumentando la mobilità e migliorando l'isolamento tra i diversi componenti. Il doping può essere eseguito utilizzando varie tecniche tra cui l'impianto e la diffusione.

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