Calculadora Área de difusión de fuentes

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✖La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.ⓘ Longitud de la fuente [D_s]			+10% -10%
✖El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.ⓘ Ancho de transición [W]			+10% -10%

✖El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.ⓘ Área de difusión de fuentes [A_s]

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Fórmula

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Área de difusión de fuentes

Fórmula

`"A"_{"s"} = "D"_{"s"}*"W"`

Ejemplo

`"5479.02mm²"="61mm"*"89.82mm"`

Calculadora

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Área de difusión de fuentes Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
A_s = D_s*W
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Área de difusión de fuentes - (Medido en Metro cuadrado) - El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.
Longitud de la fuente - (Medido en Metro) - La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.
Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Longitud de la fuente: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique la conversión aquí)
Ancho de transición: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Evaluar ... ...

A_s = 0.00547902

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00547902 Metro cuadrado -->5479.02 Milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

5479.02 Milímetro cuadrado <-- Área de difusión de fuentes

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Aquí estás -

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS

Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)

Permitividad de la capa de óxido

Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Espesor de la capa de óxido

Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada

Ancho de la puerta

Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)

Ancho de transición de CMOS

Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS

Ancho de la región de agotamiento

Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal

Longitud efectiva del canal

Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento

Longitud de unión PN

Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal

Campo eléctrico crítico

Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón

Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Voltaje en EDP Mínimo

Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Área de difusión de fuentes Fórmula

Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
A_s = D_s*W

¿Qué puedes decir sobre el proceso de dopaje en CMOS?

El dopaje en CMOS es un proceso de introducción de impurezas en el material semiconductor para modificar sus propiedades eléctricas. Este proceso puede mejorar el rendimiento de los dispositivos CMOS al reducir la resistencia, aumentar la movilidad y mejorar el aislamiento entre diferentes componentes. El dopaje se puede realizar mediante diversas técnicas, incluidas la implantación y la difusión.

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