Zone de diffusion de la source Calculatrice

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Caractéristiques des circuits CMOS

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Sous-système CMOS à usage spécial

Sous-système de chemin de données de tableau

✖La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.ⓘ Longueur de la source [D_s]			+10% -10%
✖La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.ⓘ Largeur de transition [W]			+10% -10%

✖La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.ⓘ Zone de diffusion de la source [A_s]

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Formule

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Zone de diffusion de la source

Formule

`"A"_{"s"} = "D"_{"s"}*"W"`

Exemple

`"5479.02mm²"="61mm"*"89.82mm"`

Calculatrice

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Zone de diffusion de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
A_s = D_s*W
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Zone de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.
Longueur de la source - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur de la source: 61 Millimètre --> 0.061 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de transition: 89.82 Millimètre --> 0.08982 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Évaluer ... ...

A_s = 0.00547902

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00547902 Mètre carré -->5479.02 Millimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5479.02 Millimètre carré <-- Zone de diffusion de la source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Caractéristiques des circuits CMOS » Zone de diffusion de la source

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Zone de diffusion de la source Formule

Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
A_s = D_s*W

Que pouvez-vous dire du processus de dopage dans le CMOS ?

Le dopage en CMOS est un processus d'introduction d'impuretés dans le matériau semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques. Ce processus peut améliorer les performances des dispositifs CMOS en réduisant la résistance, en augmentant la mobilité et en améliorant l'isolation entre les différents composants. Le dopage peut être réalisé à l'aide de diverses techniques, notamment l'implantation et la diffusion.

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