Область диффузии источника Калькулятор

✖Длина источника определяется как общая длина, наблюдаемая на истоковом переходе МОП-транзистора.ⓘ Длина источника [D_s]			+10% -10%
✖Ширина перехода определяется как увеличение ширины при увеличении напряжения сток-исток, в результате чего область триода переходит в область насыщения.ⓘ Ширина перехода [W]			+10% -10%

✖Область диффузии источника определяется как чистое перемещение чего-либо из области с более высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией в зоне ворот источника.ⓘ Область диффузии источника [A_s]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Область диффузии источника

Формула

`"A"_{"s"} = "D"_{"s"}*"W"`

Пример

`"5479.02mm²"="61mm"*"89.82mm"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики схемы КМОП Формулы PDF PDF Image

Область диффузии источника Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода
A_s = D_s*W
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Область диффузии источника - (Измеряется в Квадратный метр) - Область диффузии источника определяется как чистое перемещение чего-либо из области с более высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией в зоне ворот источника.
Длина источника - (Измеряется в метр) - Длина источника определяется как общая длина, наблюдаемая на истоковом переходе МОП-транзистора.
Ширина перехода - (Измеряется в метр) - Ширина перехода определяется как увеличение ширины при увеличении напряжения сток-исток, в результате чего область триода переходит в область насыщения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Длина источника: 61 Миллиметр --> 0.061 метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина перехода: 89.82 Миллиметр --> 0.08982 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Оценка ... ...

A_s = 0.00547902

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00547902 Квадратный метр -->5479.02 Площадь Миллиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5479.02 Площадь Миллиметр <-- Область диффузии источника

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Характеристики схемы КМОП » Область диффузии источника

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS

Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)

Проницаемость оксидного слоя

Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксидного слоя

Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора

Ширина ворот

Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)

Критическое напряжение КМОП

Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега

Средний свободный путь CMOS

Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле

Периметр боковой стенки источника диффузии

Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)

Напряжение при минимальной ЭДП

Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)

Критическое электрическое поле

Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона

Ширина области истощения

Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала

Эффективная длина канала

Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения

Длина соединения PN

Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала

Ширина перехода КМОП

Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота

Ширина исходного распространения

Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника

Область диффузии источника

Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Область диффузии источника формула

Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода
A_s = D_s*W

Что вы можете сказать о процессе легирования КМОП?

Легирование КМОП — это процесс введения примесей в полупроводниковый материал для изменения его электрических свойств. Этот процесс может повысить производительность КМОП-устройств за счет снижения сопротивления, увеличения мобильности и улучшения изоляции между различными компонентами. Легирование может осуществляться с использованием различных методов, включая имплантацию и диффузию.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!