Gebied van bronverspreiding Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.ⓘ Lengte van de bron [D_s]			+10% -10%
✖Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.ⓘ Overgangsbreedte [W]			+10% -10%

✖Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.ⓘ Gebied van bronverspreiding [A_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gebied van bronverspreiding

Formule

`"A"_{"s"} = "D"_{"s"}*"W"`

Voorbeeld

`"5479.02mm²"="61mm"*"89.82mm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Gebied van bronverspreiding Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte
A_s = D_s*W
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gebied van bronverspreiding - (Gemeten in Plein Meter) - Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.
Lengte van de bron - (Gemeten in Meter) - De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.
Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Lengte van de bron: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Bekijk de conversie hier)
Overgangsbreedte: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Evalueren ... ...

A_s = 0.00547902

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00547902 Plein Meter -->5479.02 Plein Millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

5479.02 Plein Millimeter <-- Gebied van bronverspreiding

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Gebied van bronverspreiding

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Gebied van bronverspreiding Formule

Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte
A_s = D_s*W

Wat kun je zeggen over het dopingproces in CMOS?

Doping in CMOS is een proces waarbij onzuiverheden in het halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om de elektrische eigenschappen ervan te wijzigen. Dit proces kan de prestaties van CMOS-apparaten verbeteren door de weerstand te verminderen, de mobiliteit te vergroten en de isolatie tussen verschillende componenten te verbeteren. Doping kan worden uitgevoerd met behulp van verschillende technieken, waaronder implantatie en diffusie.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!