MCD di due numeri

Coefficiente DIBL calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.ⓘ Tensione di soglia DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.ⓘ Drenare al potenziale di origine [V_ds]			+10% -10%

✖Il coefficiente DIBL in un dispositivo cmos è rappresentato tipicamente nell'ordine di 0,1.ⓘ Coefficiente DIBL [η]

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Formula

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Coefficiente DIBL

Formula

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Esempio

0.2 = \frac{0.59 V - 0.3 V}{1.45 V}

Calcolatrice

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Coefficiente DIBL Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
η = (V_t0-V_t)/V_ds
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Coefficiente DIBL - Il coefficiente DIBL in un dispositivo cmos è rappresentato tipicamente nell'ordine di 0,1.
Tensione di soglia DIBL - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Drenare al potenziale di origine - (Misurato in Volt) - Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di soglia DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Drenare al potenziale di origine: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

η = (V_t0-V_t)/V_ds --> (0.59-0.3)/1.45

Valutare ... ...

η = 0.2

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.2 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.2 <-- Coefficiente DIBL

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Coefficiente DIBL Formula

Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
η = (V_t0-V_t)/V_ds

Qual è il significato dell'abbassamento della barriera indotto dal drenaggio (DIBL)?

La tensione di drain Vds crea un campo elettrico che influisce sulla tensione di soglia. Questo effetto di abbassamento della barriera indotta dal drenaggio (DIBL) è particolarmente pronunciato nei transistor a canale corto. L'abbassamento della barriera indotto dal drenaggio fa aumentare Ids con Vds in saturazione, più o meno allo stesso modo della modulazione della lunghezza del canale. Questo effetto può essere raggruppato in un VA di Early Voltage più piccolo. Ancora una volta, questa è una rovina per il design analogico ma insignificante per la maggior parte dei circuiti digitali. Più significativamente, DIBL aumenta la perdita sottosoglia a Vds elevati.

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