Coeficiente DIBL Calculadora

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Otimização de materiais VLSI

Projeto VLSI analógico

✖Tensão Limiar dibl é definida como a tensão mínima exigida pela junção da fonte do potencial do corpo, quando a fonte está no potencial do corpo.ⓘ Tensão Limite DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%
✖Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.ⓘ Drenar para Potencial de Fonte [V_ds]			+10% -10%

✖O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.ⓘ Coeficiente DIBL [η]

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Fórmula

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Coeficiente DIBL

Fórmula

`"η" = ("V"_{"t0"}-"V"_{"t"})/"V"_{"ds"}`

Exemplo

`"0.2"=("0.59V"-"0.3V")/"1.45V"`

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Coeficiente DIBL Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
η = (V_t0-V_t)/V_ds
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Coeficiente DIBL - O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.
Tensão Limite DIBL - (Medido em Volt) - Tensão Limiar dibl é definida como a tensão mínima exigida pela junção da fonte do potencial do corpo, quando a fonte está no potencial do corpo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Drenar para Potencial de Fonte - (Medido em Volt) - Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Limite DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Drenar para Potencial de Fonte: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

η = (V_t0-V_t)/V_ds --> (0.59-0.3)/1.45

Avaliando ... ...

η = 0.2

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.2 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.2 <-- Coeficiente DIBL

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Tensão integrada de junção VLSI

Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))

Capacitância Parasítica da Fonte Total

Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)

Corrente de saturação de canal curto VLSI

Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação

Corrente de junção

Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)

Potencial de Superfície

Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)

Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão

Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)

Capacitância de Óxido de Porta

Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Capacitância da porta

Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Tensão de limiar

Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal

Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar

Sublimiar Inclinação

Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)

Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI

Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala

Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI

Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala

Capacitância de porta intrínseca

Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Profundidade da junção após Full Scaling VLSI

Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala

Comprimento do canal após Full Scaling VLSI

Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala

Largura do canal após Full Scaling VLSI

Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala

Mobilidade em Mosfet

Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta

K-Prime

Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Coeficiente DIBL Fórmula

Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
η = (V_t0-V_t)/V_ds

Qual é o significado da redução de barreira induzida por drenagem (DIBL)?

A tensão de dreno Vds cria um campo elétrico que afeta a tensão limite. Este efeito de redução de barreira induzida por dreno (DIBL) é especialmente pronunciado em transistores de canal curto. A redução da barreira induzida pelo dreno faz com que Ids aumente com Vds na saturação, da mesma forma que a modulação do comprimento do canal. Este efeito pode ser agrupado em uma tensão inicial VA menor. Novamente, isso é uma ruína para o design analógico, mas insignificante para a maioria dos circuitos digitais. Mais significativamente, o DIBL aumenta o vazamento sublimiar em Vds altos.

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