Concentrazione dei donatori calcolatrice

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✖La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.ⓘ Carica totale dell'accettore [\|Q\|]			+10% -10%
✖La penetrazione di carica di tipo P si riferisce al fenomeno in cui gli atomi droganti, come boro o gallio, introducono fori nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore, tipicamente silicio o germanio.ⓘ Penetrazione di carica di tipo P [x_po]			+10% -10%
✖L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%

✖La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione o alla densità degli atomi donatori in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei donatori [N_d]

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Formula

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Concentrazione dei donatori

Formula

`"N"_{"d"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"po"}*"A"_{"j"})`

Esempio

`"2.5E^35/m³"="13C"/("[Charge-e]"*"0.06μm"*"5401.3µm²")`

Calcolatrice

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Concentrazione dei donatori Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione o alla densità degli atomi donatori in un materiale semiconduttore.
Carica totale dell'accettore - (Misurato in Coulomb) - La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.
Penetrazione di carica di tipo P - (Misurato in metro) - La penetrazione di carica di tipo P si riferisce al fenomeno in cui gli atomi droganti, come boro o gallio, introducono fori nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore, tipicamente silicio o germanio.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica totale dell'accettore: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nessuna conversione richiesta
Penetrazione di carica di tipo P: 0.06 Micrometro --> 6E-08 metro (Controlla la conversione qui)
Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Valutare ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.50370647427462E+35 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 per metro cubo <-- Concentrazione dei donatori

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Giunzione SSD Calcolatrici

Lunghezza della giunzione lato P

Partire Lunghezza della giunzione lato P = (Corrente ottica/([Charge-e]*Zona di giunzione*Velocità di generazione ottica))-(Larghezza di transizione della giunzione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione)

Capacità di giunzione

Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))

Larghezza di transizione della giunzione

Partire Larghezza di transizione della giunzione = Penetrazione di carica di tipo N*((Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)/Concentrazione dell'accettore)

Resistenza in serie nel tipo P

Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N

Resistenza in serie di tipo N

Partire Resistenza in serie nella giunzione N = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione P

Tensione di giunzione

Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica

Area di giunzione in sezione trasversale

Partire Zona di giunzione = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Concentrazione dell'accettore)

Concentrazione dell'accettore

Partire Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)

Larghezza tipo N

Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Carica totale dell'accettore

Partire Carica totale dell'accettore = [Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore

Concentrazione dei donatori

Partire Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)

Coefficiente di assorbimento

Partire Coefficiente di assorbimento = (-1/Spessore del campione)*ln(Potenza assorbita/Potere incidente)

Potenza assorbita

Partire Potenza assorbita = Potere incidente*exp(-Spessore del campione*Coefficiente di assorbimento)

Distribuzione netta della carica

Partire Distribuzione netta = (Concentrazione dei donatori-Concentrazione dell'accettore)/Costante graduata

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione = Offset di lunghezza costante+Lunghezza effettiva del canale

Numero quantico

Partire Numero quantico = [Coulomb]*Lunghezza potenziale del pozzo/3.14

Concentrazione dei donatori Formula

Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

Cos'è un atomo donatore?

Un donatore è un atomo drogante che, quando aggiunto a un semiconduttore, può formare una regione di tipo n. Un atomo donatore ha più elettroni disponibili per il legame con atomi vicini di quanti ne sia richiesto per un atomo nel semiconduttore ospite.

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