Spenderkonzentration Taschenrechner

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SSD-Verbindung Elektronen und Löcher Energieband und Ladungsträger Halbleiterträger

✖Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.ⓘ Gesamtakzeptanzgebühr [\|Q\|]			+10% -10%
✖Ladungsdurchdringung vom P-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem Dotierstoffatome wie Bor oder Gallium Löcher in das Kristallgitter des Halbleitermaterials, typischerweise Silizium oder Germanium, einbringen.ⓘ Ladungsdurchdringung P-Typ [x_po]			+10% -10%
✖Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.ⓘ Kreuzungsbereich [A_j]			+10% -10%

✖Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration oder Dichte von Donoratomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]

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Spenderkonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spenderkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung P-Typ*Kreuzungsbereich)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration oder Dichte von Donoratomen in einem Halbleitermaterial.
Gesamtakzeptanzgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.
Ladungsdurchdringung P-Typ - (Gemessen in Meter) - Ladungsdurchdringung vom P-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem Dotierstoffatome wie Bor oder Gallium Löcher in das Kristallgitter des Halbleitermaterials, typischerweise Silizium oder Germanium, einbringen.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtakzeptanzgebühr: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
Ladungsdurchdringung P-Typ: 0.06 Mikrometer --> 6E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kreuzungsbereich: 5401.3 Quadratmikrometer --> 5.4013E-09 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Auswerten ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.50370647427462E+35 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 pro Kubikmeter <-- Spenderkonzentration

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

LaTeX Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Serienwiderstand im P-Typ

LaTeX Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

Sperrschichtspannung

LaTeX Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

N-Typ-Breite

LaTeX Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

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Spenderkonzentration Formel

LaTeX Gehen

Spenderkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung P-Typ*Kreuzungsbereich)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

Was ist ein Donoratom?

Ein Donator ist ein Dotierungsatom, das, wenn es zu einem Halbleiter hinzugefügt wird, einen n-Typ-Bereich bilden kann. Ein Donoratom hat mehr Elektronen zur Verfügung, um sich mit Nachbaratomen zu verbinden, als für ein Atom im Wirtshalbleiter erforderlich sind.

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