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Calculadora Concentración de donantes

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Unión SSD Banda de energía y portador de carga Electrones y agujeros Portadores de semiconductores

✖La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.ⓘ Cargo total del aceptador [\|Q\|]			+10% -10%
✖El tipo P de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que los átomos dopantes, como el boro o el galio, introducen agujeros en la red cristalina del material semiconductor, normalmente silicio o germanio.ⓘ Penetración de carga tipo P [x_po]			+10% -10%
✖El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.ⓘ Área de unión [A_j]			+10% -10%

✖La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.ⓘ Concentración de donantes [N_d]

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Concentración de donantes Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Variables utilizadas

Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.
Cargo total del aceptador - (Medido en Culombio) - La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.
Penetración de carga tipo P - (Medido en Metro) - El tipo P de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que los átomos dopantes, como el boro o el galio, introducen agujeros en la red cristalina del material semiconductor, normalmente silicio o germanio.
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargo total del aceptador: 13 Culombio --> 13 Culombio No se requiere conversión
Penetración de carga tipo P: 0.06 Micrómetro --> 6E-08 Metro (Verifique la conversión aquí)
Área de unión: 5401.3 Micrómetro cuadrado --> 5.4013E-09 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Evaluar ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.50370647427462E+35 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 por metro cúbico <-- Concentración de donantes

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Capacitancia de unión

LaTeX Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Resistencia en serie en tipo P

LaTeX Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Voltaje de unión

LaTeX Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Ancho tipo N

LaTeX Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Concentración de donantes Fórmula

LaTeX Vamos

Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

¿Qué es un átomo donante?

Un donante es un átomo dopante que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar una región de tipo n. Un átomo donante tiene más electrones disponibles para unirse a los átomos vecinos que los necesarios para un átomo en el semiconductor huésped.

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