Capacità effettiva in CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 5 Variabili
Costanti utilizzate
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Variabili utilizzate
Capacità effettiva nel CMOS - (Misurato in Farad) - La capacità effettiva nel CMOS è definita come il rapporto tra la quantità di carica elettrica immagazzinata su un conduttore e la differenza di potenziale elettrico.
Ciclo di lavoro - Un ciclo di lavoro o ciclo di alimentazione è la frazione di un periodo in cui un segnale o un sistema è attivo.
Fuori corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente disattivata di un interruttore è un valore inesistente nella realtà. Gli interruttori reali hanno normalmente una corrente di spegnimento molto piccola, che a volte viene chiamata corrente di dispersione.
Tensione del collettore di base - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Cancelli sul percorso critico - Le porte sul percorso critico sono definite come il numero totale di porte logiche richieste durante un tempo di ciclo in CMOS.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Ciclo di lavoro: 1.3E-25 --> Nessuna conversione richiesta
Fuori corrente: 0.01 Millampere --> 1E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione del collettore di base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nessuna conversione richiesta
Cancelli sul percorso critico: 0.95 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Valutare ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.13789525162511E-06 Farad -->5.13789525162511 Microfarad (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
5.13789525162511 5.137895 Microfarad <-- Capacità effettiva nel CMOS
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Capacità effettiva in CMOS Formula

Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

Cos'è la conduzione sottosoglia?

La conduzione sottosoglia o la dispersione sottosoglia o la corrente di drenaggio sottosoglia è la corrente tra la sorgente e il drenaggio di un MOSFET quando il transistor si trova nella regione della sottosoglia, o regione di inversione debole, cioè per tensioni gate-to-source al di sotto della tensione di soglia.

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