Capacitancia efectiva en CMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variables
Constantes utilizadas
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
Variables utilizadas
Capacitancia efectiva en CMOS - (Medido en Faradio) - La capacitancia efectiva en CMOS se define como la relación entre la cantidad de carga eléctrica almacenada en un conductor y una diferencia de potencial eléctrico.
Ciclo de trabajo - Un ciclo de trabajo o ciclo de energía es la fracción de un período en el que una señal o sistema está activo.
Apagado actual - (Medido en Amperio) - La corriente apagada de un interruptor es un valor que no existe en la realidad. Los interruptores reales normalmente tienen una corriente de apagado muy pequeña, que a veces se denomina corriente de fuga.
Voltaje base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Puertas en el camino crítico - Las puertas en la ruta crítica se definen como el número total de puertas lógicas requeridas durante un ciclo en CMOS.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Ciclo de trabajo: 1.3E-25 --> No se requiere conversión
Apagado actual: 0.01 Miliamperio --> 1E-05 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje base del colector: 2.02 Voltio --> 2.02 Voltio No se requiere conversión
Puertas en el camino crítico: 0.95 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Evaluar ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.13789525162511E-06 Faradio -->5.13789525162511 Microfaradio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
5.13789525162511 5.137895 Microfaradio <-- Capacitancia efectiva en CMOS
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri LinkedIn Logo
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
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Verificada por Urvi Rathod LinkedIn Logo
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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Características del circuito CMOS Calculadoras

Ancho de difusión de la fuente
​ LaTeX ​ Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
​ LaTeX ​ Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
​ LaTeX ​ Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Capacitancia efectiva en CMOS Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

¿Qué es la conducción subumbral?

La conducción subumbral o la fuga subumbral o la corriente de drenaje subumbral es la corriente entre la fuente y el drenaje de un MOSFET cuando el transistor está en la región subumbral, o región de inversión débil, es decir, para voltajes de puerta a fuente por debajo del voltaje umbral.

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